멀티캐리어 신호전송을 위한 유선(wireline) 애플리케이션에서 디지털-아날로그 변환기(DAC) 기반 편파(polar) 송신기(TX)가 제안된다. 제안된 TX는 세 개의 병렬 5-GS/s DAC 기반 드라이버와 5 및 10 GHz의 두 개의 직교 캐리어를 사용함으로써 스펙트럼 효율을 극대화하면서 총 50-Gb/s의 데이터 전송률을 달성한다. 기저대역(BB)에서 동작하는 세 개의 DAC 기반 드라이버는 4레벨 펄스 진폭 변조(PAM-4)를 사용하고, 중간대역(MB) 및 고대역(HB)은 16-상태 복소 변조를 사용한다. 이때 드라이버 비선형성을 보상하기 위해 7비트 진폭 변조에 더해 추가의 2비트 전치보정(PD)이 제공된다. 또한 MB 및 HB 편파 드라이버에는 7비트 위상 변조가 적용된다. 진폭과 위상 변조가 편파 드라이버에서 독립적으로 수행되므로, 제안된 TX는 MB 및 HB에서 QAM-16 또는 APSK-4 $+$ 12와 같은 임의의 변조 형식을 지원할 수 있다. TX 등화를 위해 룩업 테이블(LUT)을 사용하여 디지털 도메인에서 8탭 유한임펄스응답(FIR) 필터링을 구현한다. 22-nm FinFET로 제작된 TX는 1.2-Vppd 출력 스윙을 가지며, 데이터 전송률 50-Gb/s, 비트 에러율(BER) {{abstract}}lt;$10^$-$4,그리고12.5GHz에서21.5-dB손실을갖는채널을대상으로QAM-16및APSK-4$+$ 12 변조에 대해 1.68-pJ/b의 에너지 효율을 달성한다.

유선(선로) 응용을 위한 DAC 기반 극성(polar) 송신기(TX)는 임의의 변조 형식을 갖는, 지터에 강인한 멀티캐리어 신호전송을 효율적으로 구현한다. 총 50Gb/s 데이터 전송률은 5GS/s의 세 개 병렬 출력 드라이버를 통해 지원되며, 이 드라이버는 베이스밴드 PAM-4 및 5, 10GHz의 직교 캐리어에서 중간밴드(MB)와 고밴드(HB) 16상태 복소 변조를 각각 수행한다. DAC 진폭 해상도는 모든 드라이버에 대해 7b에 2b 프리디스토션을 더한 수준이며, 극성 MB 및 HB 드라이버는 또한 7b 위상 해상도를 가진다. TX DSP는 모든 대역에 대해 8탭 FIR 필터링을 구현한다. 22nm FinFET으로 제작된 TX는 1.2${\mathrm{V}}_{\mathrm{ppd}}$의 스윙을 가지며, QAM-16과 APSK-4+12 변조 모두에서 1.68pJ/b의 전력 소모로 50Gb/s의 BER<$10^{-4}$를 달성한다.

우리는 고밀도이면서 저기생성 Direct Bond Interconnect(DBI ® )와 이기종 3D 코-인테그레이션된 전자-광자 공동 설계 트랜시버 회로에 대한 최초의 실험적 시연을 제시한다. 해당 회로는 풀 SerDes를 특징으로 하며, -20.3 dBm OMA 감도와 691 fJ/bit 링크 에너지 효율을 달성한다.

저전력 고속 플래시 아날로그-디지털 변환기(ADC)를 위한 선택적으로 활성화되는 8× 시간영역(T-domain) 래치 보간 기법을 제안한다. 시간영역 래치 보간을 사용하는 플래시 ADC는 전압-시간(V-to-T) 및 시간-디지털(T-to-D) 변환을 기존의 전압-디지털(V-to-D) 변환과 함께 수행한다. 이를 통해 V-to-D 변환에 필요한 동적 비교기(CMP)의 수를 줄여 저전력화를 달성한다. T-to-D 변환에서 2비트를 얻는 기존의 4× T-domain 래치 보간은 6비트 플래시 ADC에서 동적 CMP의 수를 기존 63개에서 17개로 감소시킨다. 동적 CMP의 수를 추가로 줄이기 위해, 본 연구에서는 V-to-T 변환의 비선형성을 해소한다. V-to-T 변환에서 넓은 선형 범위를 정의하기 위해 큰 입력을 사용하고, 8× 보간에는 해당 선형 범위만을 사용한다. 이를 통해 3비트 T-to-D 변환이 가능해지며, 그 결과 동적 CMP의 수가 6비트 플래시 ADC에서 10개로 감소한다. 또한 큰 입력은 동적 CMP의 RC 시간상수 요구사항을 완화함으로써 고속 동작을 가능하게 한다. 저전력 T-to-D 변환을 위해, T-to-D 변환에서의 8개 컨버터 중 변환 사이클 동안 2개만 선택적으로 활성화한다. 제작된 1-V 65-nm CMOS 기반 6비트 ADC 칩은 6-GS/s 샘플링 주파수, 15.1-mW 전력 소모, 31.18-dB SNDR, 그리고 85-fJ/변환 스텝의 전력 효율 지표(figure of merit)를 달성한다.