Electronic-Photonic Co-Integrated Transceiver Based on Direct Bond Interconnect Research
연구 내용
Direct Bond Interconnect로 고밀도 저기생 interconnection을 구현하고 SerDes와 silicon-photonic 트랜시버를 이종 3D 동시집적하여 링크 성능을 도출하는 연구
고속 통신에서 전자 회로와 실리콘 포토닉스를 이종으로 결합할 때 interconnection 기생이 링크 성능에 미치는 영향을 줄이기 위한 Direct Bond Interconnect 기반 구조를 연구합니다. electronic-photonic co-designed transceiver 회로를 설계하고, high-density low-parasitic DBI를 통해 SerDes 기능을 포함하는 송수신 블록을 heterogeneously 3D co-integrated 형태로 구성합니다. 이를 통해 광학 수신 감도와 링크 에너지 효율 특성을 동시에 평가할 수 있도록 설계-제작-검증 흐름을 구축합니다.
관련 연구 성과
관련 논문
1편
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연구 흐름
2023년에는 Direct Bond Interconnect를 적용해 전자-포톤 경로를 고밀도·저기생 형태로 구현하고, SerDes 기반 전기 회로와 silicon-photonic 트랜시버를 co-design하는 실험 시연을 수행했습니다. 이 결과를 바탕으로, 동일한 이종 3D 동시집적 플랫폼에서 interconnect 설계 변수와 전기적 송수신 회로의 동작 조건을 함께 조정하는 방향으로 연구를 확장할 계획입니다. 향후 데이터 전송 링크 관점에서 패키징 연계성과 회로-광학 공동 설계의 상관 구조를 강화하는 연구 흐름을 유지합니다.
활용 가능성
활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.
관련 논문
구분
제목
A Direct Bond Interconnect 3D Co-Integrated Silicon-Photonic Transceiver in 12nm FinFET with -20.3dBm OMA Sensitivity and 691fJ/bit