본 글은 NMOS의 깊은 $n$ -웰에서 자체 바이어싱(self-biasing)을 갖는 바디 절연(body isolation) MOSFET를 이용한 다단계 RF-DC 컨버터를 간단히 제안한다. NMOS의 깊은 $n$ -웰은 다단 정류기의 최종 단계 DC 전압에 연결되어, NMOS에서 $p$ -웰과 깊은 $n$ -웰 사이에 형성되는 바디 다이오드에 의해 발생하는 누설 전류를 최소화하기 위해 최대 역바이어스를 인가한다. 깊은 $n$ -웰 바이어싱은 바디에서 수집된 전하가 보존되는 데 기여하며, 다단 정류기를 직렬로 연결할 때 출력 전압과 전력 변환 효율을 향상시킨다. 제안된 회로는 180-nm BCDMOS 공정으로 제작되었고, 칩 면적은 1.24 mm 2 이다. 915MHz RF 입력에서 입력 1-dBm, 출력 전압 약 1.4 V로 최대 전력 변환 효율 57%를 달성하였다. 최소 동작 입력 전력은 약 −10dBm이다.

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