Atomic Layer Deposition of ZrO<sub>2</sub> Films at High Temperatures (>350 °C) Using a Modified Cyclopentadienyl Zr Precursor | 박태주 교수 연구실 | 한양대학교 차세대반도체융합공학부

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·2025

Atomic Layer Deposition of ZrO₂ Films at High Temperatures (>350 °C) Using a Modified Cyclopentadienyl Zr Precursor

Jae Chan Park, Chang Ik Choi, Hongseok Jang, Suhyong Yun, Miso Kim, Ji‐Hoon Ahn, Woo‐Hee Kim, Bonggeun Shong, Tae Joo Park

IF 8.2 (2025) ACS Applied Materials & Interfaces

초록

. 유전율, 누설 전류 및 유전체 항복의 전기적 특성 또한 향상된 물리화학적 특성으로 인해 개선되었습니다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.

키워드

Cyclopentadienyl complexAtomic layer depositionMaterials scienceThermal stabilityDielectricHigh-κ dielectricDeposition (geology)ImpurityLayer (electronics)Chemical engineering

타입

Article

IF / 인용수

8.2 / 0

원문

https://doi.org/10.1021/acsami.5c11791

게재 연도

2025

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·2025

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Jae Chan Park, Chang Ik Choi, Hongseok Jang, Suhyong Yun, Miso Kim, Ji‐Hoon Ahn, Woo‐Hee Kim, Bonggeun Shong, Tae Joo Park

IF 8.2 (2025) ACS Applied Materials & Interfaces

초록

. 유전율, 누설 전류 및 유전체 항복의 전기적 특성 또한 향상된 물리화학적 특성으로 인해 개선되었습니다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.

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Cyclopentadienyl complexAtomic layer depositionMaterials scienceThermal stabilityDielectricHigh-κ dielectricDeposition (geology)ImpurityLayer (electronics)Chemical engineering

타입

Article

IF / 인용수

8.2 / 0

원문

https://doi.org/10.1021/acsami.5c11791

게재 연도

2025