본 연구는 광전기화학(PEC) 및 전기화학적 수분해를 통한 태양에너지 수확 및 수소 연료 생성에 활용할 수 있는 고성능·저비용 소재를 개발하여, 전 세계적인 에너지 수요와 파키스탄과 같은 지역적 위기에 대응하는 것을 목표로 한다. 본 과제는 첨단 원자층 증착(ALD) 기술을 활용하여, 다공성 TiO₂ 표면에 비화학양론적(non-stoichiometric) ...
원자층 증착법
황화아연
수소/산소생성반응
수소 생산
반투명 태양전지
2
2025년 10월-2027년 12월
|29,845,000원
비화학양론적 황화아연이 원자층 증착된 TiO2의 광에너지효율 향상
본 연구는 광전기화학(PEC) 및 전기화학적 수분해를 통한 태양에너지 수확 및 수소 연료 생성에 활용할 수 있는 고성능·저비용 소재를 개발하여, 전 세계적인 에너지 수요와 파키스탄과 같은 지역적 위기에 대응하는 것을 목표로 한다. 본 과제는 첨단 원자층 증착(ALD) 기술을 활용하여, 다공성 TiO₂ 표면에 비화학양론적(non-stoichiometric) ...
원자층 증착법
황화아연
수소/산소생성반응
수소 생산
반투명 태양전지
3
2025년 3월-2027년 12월
|963,000,000원
알칼리 이온 시냅스 기반 8Kb급 다단 패시브 어레이 제작 및 CMOS 회로 집적 검증
○ 다단 자가정류형 시냅스 소자 패시브 어레이 - CMOS 회로 co-optimization 및 검증- ALD 기반 대칭/비대칭 전극 구조의 알칼리 이온 자가정류 시냅스 개발- 다단 CBA 집적 동작이 가능한 알칼리 이온 자가정류 시냅스 확보- 8 kbit 집적도의 패시브 크로스바 어레이의 집적 및 검증- 자가정류형 알칼리 이온 기반 시냅스 크로스바 어레이...
자기정류 멤리스터
알칼리 이온
다단 적층
크로스바 어레이
CMOS 회로
4
2025년 3월-2029년 12월
|234,578,000원
CXL향 고집적 Vertical selector-only memory용 ALD/ASD 공정 개발 및 1Kb급 4단 어레이 실증
[최종목표]ㅇ 수직형 Selector-only memory(VSOM) 소자를 위한 다원계 칼코게나이드 박막 ALD/ASD 공정·소자 연구를 통해 1Kb급의 4단을 갖는 16×16×4 크기의 수직형 크로스 포인트 어레이 구조를 제작하여, VSOM 소자의 동작 성능을 최적화 시키고자 함[1단계-1차년도 목표]ㅇ SOM 소자용 칼코게나이드계 박막 ALD 공정 개...
선택소자형 메모리
칼코게나이드
문턱 스위칭
크로스 포인트 메모리
수직형 어레이
5
2025년 3월-2027년 12월
|723,000,000원
알칼리 이온 시냅스 기반 8Kb급 다단 패시브 어레이 제작 및 CMOS 회로 집적 검증
○ 다단 자가정류형 시냅스 소자 패시브 어레이 - CMOS 회로 co-optimization 및 검증- ALD 기반 대칭/비대칭 전극 구조의 알칼리 이온 자가정류 시냅스 개발- 다단 CBA 집적 동작이 가능한 알칼리 이온 자가정류 시냅스 확보- 8 kbit 집적도의 패시브 크로스바 어레이의 집적 및 검증- 자가정류형 알칼리 이온 기반 시냅스 크로스바 어레이...