Area-Selective Atomic Layer Deposition and Interface/Defect Control in Thin Films
연구 내용
산화물/질화물에 대한 화학선택적 흡착을 기반으로 원자층 증착의 선택비와 계면 특성을 제어하고, 박막의 전기·화학적 성능을 최적화하는 연구
박태주 연구실은 원자층 증착(Atomic layer deposition, ALD) 공정의 표면화학 기반 선택성을 규명하고 박막 계면을 제어하는 연구를 수행합니다. 산화물과 질화물의 반응성 차이를 전구체 흡착 메커니즘으로 연결해 영역선택적 증착을 구현하고, 고온 조건에서의 전구체 기반 열안정성 확보를 통해 고유전체 박막의 누설과 절연 특성을 개선합니다. 또한 산소 전구체(O2/O3)에 따른 핵생성 및 산화 동역학을 통해 금속/금속산화막의 결정성과 표면 조성을 조절하며, 증착 온도에 따른 전기적 결함 유입 경향을 해석해 공정 윈도우를 도출합니다.
관련 연구 성과
관련 논문
4편
관련 특허
0건
관련 프로젝트
2건
연구 흐름
초기에는 산화물과 질화물 간 화학선택적 흡착 차이를 이용해 인히비터 없는 영역선택적 ALD 구현 가능성을 검토하고, 증착 selectivity를 결정하는 표면 반응 변수를 정리하는 데 집중되었습니다. 이후 고온에서 동작 가능한 Zr 전구체 설계와 막 물성 상관관계를 통해 고유전체 박막의 전기적 신뢰성 향상으로 연구 범위를 확장했습니다. 최근에는 O2와 O3를 이용한 산화막 형성의 핵생성·산화 동역학을 분석하고, 증착 온도 증가에 따른 누설 특성 변화를 해석해 계면/결함 제어 관점에서 공정을 고도화하는 흐름을 보입니다.
활용 가능성
활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.
관련 논문
구분
제목
Inhibitor-free area-selective atomic layer deposition of SiO2 through chemoselective adsorption of an aminodisilane precursor on oxide versus nitride substrates
Atomic Layer Deposition of ZrO<sub>2</sub> Films at High Temperatures (>350 °C) Using a Modified Cyclopentadienyl Zr Precursor
Oxidation Dynamics and Surface Chemistry of Iridium and Iridium Oxide Films Grown by Atomic Layer Deposition Using O <sub>2</sub> and O <sub>3</sub>
Effect of increasing deposition temperature of atomic-layer–deposited ZrO2 thin films: improvement of leakage-current properties
관련 프로젝트
구분
제목
차세대 나노소자 제조를 위한 원자 수준 패터닝 소재/공정 개발 및 메커니즘 규명
높은 영역 선택비를 갖는 원자수준 패터닝용 박막 공정 기술 개발