알칼리 이온 멤리스터/수직 셀렉터 메모리 및 ASSB 계면 보호층

Alkali-Ion Memristor and Vertical Selector Memory, and Interfacial Protective Layers for ASSBs

연구 내용

알칼리 이온 멤리스터와 수직 선택 소자를 위한 ALD/ASD 공정과, 황화계 ASSB의 계면 보호층 조성을 조절해 소자 성능을 확보하는 연구

박태주 연구실은 차세대 메모리 소자에서 계면 조성과 공정을 연결해 전기적 동작을 확보하는 연구를 수행합니다. 알칼리 이온 시냅스 기반 멤리스터의 경우 인터페이스 타입 구조를 목표로 하여 원자층 증착 기반 공정 전략을 적용하고, 크로스바 어레이 집적 검증을 통해 시스템 수준 동작을 평가합니다. 또한 CXL을 고려한 수직형 선택 소자형 메모리를 위해 ALD/ASD 공정 개발과 어레이 실증을 진행합니다. 배터리 응용에서는 황화계 all-solid-state batteries의 양극-전해질 계면에서 분해 반응을 억제하기 위해 powder-ALD 기반 조성 제어 보호층을 설계하여 수명과 효율을 연동하는 방향으로 연구를 확장합니다.

관련 프로젝트

4건

연구 흐름

메모리 소자 연구는 인터페이스 타입 알칼리 이온 멤리스터를 바탕으로 4K 급 크로스바 집적소자 구현을 목표로 하며, 원자층 증착을 공정 축으로 채택해 동작 신뢰성을 검증하는 흐름에서 진행되었습니다. 이후 다단 적층 및 CMOS 회로 집적 검증 등으로 아키텍처와 공정 요구사항을 함께 정리하면서, CXL 지향 수직 셀렉터 전용 메모리로 확장하는 단계가 이어졌습니다. 최근에는 배터리 분야로 적용 범위를 넓혀, powder-ALD 기반 보호층 조성 제어가 전기화학 성능과 장기 유지에 미치는 상관을 정량적으로 정리하는 연구를 수행하고 있습니다.

활용 가능성

활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.

인터페이스 타입 멤리스터
크로스바 어레이 집적 검증
수직 셀렉터 전용 메모리
CXL 호환 메모리 공정
황화계 ASSB 보호층 설계
알칼리 이온 계면공학
원자층 공정 기반 선택소자 구현
다단 적층 메모리 구조
조성-수명 상관 평가
전자 소자용 계면 보호 스택