Schottky 장벽 조절을 통해 아날로그 메모리 특성을 구현한다. LWOM은 저전압에서 가중치 업데이트를 가능하게 하며, 게이트 제어에 따른 정밀한 가중치 업데이트 특성을 제공한다. 3D 2차 이온 질량분석법(secondary ion mass spectrometry, SIMS)을 통한 분석은 Li 이온의 재분포와 저항 스위칭 메커니즘을 확인한다. 21×21 크로스바 어레이는 99.31%의 동작 수율과 목표 도전도 값으로의 성공적인 가중치 업데이트를 보여준다. 성숙한 산화물 반도체 기술을 사용하여 230°C 열 예산(thermal budget)과 단순한 공정으로 제작된 LWOM은 차세대 비휘발성 메모리 및 인공 신경망(ANN) 가속 하드웨어를 위한 강력한 후보로 자리매김한다.

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