The light emission and in-plane polarization ratio of (0001) GaInN/GaN quantum well structures grown on a stripe-shaped cavity engineered sapphire substrate | 김종열 교수 연구실 | 세종대학교 AI융합전자공학과

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·2023

The light emission and in-plane polarization ratio of (0001) GaInN/GaN quantum well structures grown on a stripe-shaped cavity engineered sapphire substrate

Jong-Ryeol Kim

IF 0.8 (2023) Journal of the Korean Physical Society

키워드

Materials scienceIndiumPolarization (electrochemistry)Quantum wellSapphireOpticsOptoelectronicsCondensed matter physicsPhysicsLaser

타입

Article

IF / 인용수

0.8 / 0

원문

http://dx.doi.org/10.1007/s40042-023-00812-y

게재 연도

2023

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원문

http://dx.doi.org/10.1007/s40042-023-00812-y

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