An energy-efficient NbO x /ZrO 2 bilayer memristor enabling low-voltage multilevel switching for neuromorphic computing
Muhammad Zulfiqar, Sobia Nisar, Rimsha Zulfiqar, Muneeb Ahmad, Muhammad Rabeel, Hammad Ghazanfar, Saikh Mohammad Wabaidur, Aamir Rasheed, Honggyun Kim, Ghulam Dastgeer, Deok-kee Kim
IF 5.1 (2026) Journal of Materials Chemistry C
초록
인공지능(AI)과 엣지 컴퓨팅의 빠른 성장은 인간 뇌의 병렬 처리 및 적응적 학습 기능을 모방할 수 있는 에너지 효율적인 하드웨어에 대한 시급한 요구를 더욱 강화하고 있다.
*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.
키워드
Neuromorphic engineeringMemristorBilayerEnhanced Data Rates for GSM EvolutionArtificial neural networkResistive random-access memoryAdaptive learningReservoir computing