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김홍균 연구실
세종대학교 반도체시스템공학과 김홍균 교수
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김홍균 연구실

세종대학교 반도체시스템공학과 김홍균 교수

김홍균 연구실은 반도체 후공정과 소자·회로 관점에서 재료-계면-공정의 연계를 연구합니다. 저온 Sn-Bi계 솔더의 계면 반응과 미세조직 변화를 나노입자 보강을 통해 제어하는 방향을 수행합니다. 또한 Cu BEOL 기반 이종집적 공정에서 확산차단층과 산화 환경에서의 전기적 안정성 문제를 초박막 소재와 미세구조 분석으로 접근합니다. 더불어 산화물 계면 기반 Gd2O3/ZrO2 멤리스터를 통해 뉴로모픽 시냅스 모사 연구를 수행하며, 테라헤르츠 배열형 나노 검출기 개발 과제를 통해 실시간 고해상도 이미징을 목표로 합니다.

첨단패키징Cu BEOL확산차단층Sn-Bi 솔더나노입자 보강
대표 연구 분야
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저온 Sn-Bi 무연 솔더의 나노입자 강화 미세조직 제어 및 신뢰성 향상 연구 thumbnail
저온 Sn-Bi 무연 솔더의 나노입자 강화 미세조직 제어 및 신뢰성 향상 연구
Nanoparticle-reinforced low-temperature Sn-Bi lead-free solder microstructure control and reliabilit
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Cu 배선 확산차단 및 산화 저항 안정화를 위한 초박막 소재 공학 연구 thumbnail
Cu 배선 확산차단 및 산화 저항 안정화를 위한 초박막 소재 공학 연구
Ultrathin diffusion barrier and oxidation-resistance engineering for Cu interconnects
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계면 공학 기반 Gd2O3/ZrO2 이층 구조 멤리스터의 뉴로모픽 시냅스 모사 연구 thumbnail
계면 공학 기반 Gd2O3/ZrO2 이층 구조 멤리스터의 뉴로모픽 시냅스 모사 연구
Interface-engineered Gd2O3/ZrO2 bilayer memristor for neuromorphic synaptic plasticity emulation
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연구 성과 추이
표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.
주요 논문
4
논문 전체보기
1
Article
|
·
인용수 0
·
2026
Interface-engineered Gd₂O₃/ZrO₂ bilayer memristor for emulating synaptic plasticity in neuromorphic systems
Hammad Ghazanfar, Muhammad Rabeel, Sobia Nisar, Muneeb Ahmad, Muhammad Zulfiqar, Muhammad Sulaman, Honggyun Kim, Ghulam Dastgeer, Deok-kee Kim
IF 9.7 (2026)
Journal of Colloid and Interface Science
https://doi.org/10.1016/j.jcis.2026.139943
Neuromorphic engineering
Memristor
Bilayer
MNIST database
Perceptron
Conductance
Plasticity
Voltage
2
Article
|
인용수 8
·
2025
Recent challenges, advancements, and effects of nanoparticles on the low-temperature Sn-Bi solder alloys
Ajay T. Avatare, Ruhan E. Ustad, Vijay D. Chavan, Zulfqar Ali Sheikh, Tushar P. Kamble, Laraib Sajjad, G.H. Lee, Sandip Sabale, Honggyun Kim, Deok‐kee Kim
IF 5.2 (2025)
Materials Science in Semiconductor Processing
첨단 패키징 산업에서 땜납(solder) 접합의 사용이 주목할 만한 수준으로 증가해 왔다. 최근에는 Pb(납)의 높은 독성으로 인해 가장 널리 사용되는 공정(共晶) 납(Pb) 기반 합금의 적용이 제한되었다. 이에 따라 연구자들은 이미 Pb 기반 합금이 정립해 온 기준 특성에 필적할 수 있는 “무납(Pb-free)” 땜납 합금을 개발하고자 노력해 왔다. Sn-Bi 합금은 미세전자공학 분야에서 저온 땜납으로서의 잠재력이 입증되었다. 녹는점 측면에서 우수함에도 불구하고, 내구성과 신뢰성을 의심하게 하는 일부 장애 요인이 존재한다. 본 총설은 Sn-Bi 땜납을 둘러싼 특성, 최근 동향, 그리고 진행 중인 연구 활동을 상세히 개관한다. 또한 금속 나노입자(metal nanoparticles, Nps), 희토류 원소(rare earth elements, REEs), 세라믹 Nps 등과 같은 보강재를 활용하기 위한 새로운 아이디어와 방법론을 부각한다. 이러한 첨가제는 기계적 특성을 향상시키고 계면 반응을 제어하며 미세조직을 정교화하는 데 기여할 가능성이 높다. Bi-rich 상의 조대화(coarsening)를 감소시키고, 납-기판 상호작용 및 금속간화합물(intermetallic compounds, IMCs) 형성에 대한 상세한 분석을 바탕으로 연성(ductility)을 개선하기 위한 전략에 관한 통찰 있는 논의는 향후 연구자들에게 길잡이가 될 것이다. 더 나아가 본 총설은 기계적 및 열적 스트레스 하에서의 장기 신뢰성에 대한 제한된 이해를 포함하여, 현재 논문들이 안고 있는 핵심 공백을 구별하여 제시한다. 우리는 본 총설에서 강조한 포괄적인 자료가 첨단 패키징 기술을 위해 Sn-Bi 합금을 최적화하려는 연구자들에게 도움이 될 것으로 믿는다. 제시된 통찰은 현대 전자기기의 엄격한 요구를 충족하는 차세대 저온 땜납의 개발을 촉진하는 것을 목표로 한다. 본 총설 논문은 미세전자공학 패키징에서 중요한 과제인 SnBi 땜납 합금의 취성(brittleness)을 해결하기 위해 나노입자를 사용하는 방안을 탐구한다. 이는 우선 땜납 합금의 한계를 개략적으로 제시하며 주로 기계적 파손을 중심으로 설명한 다음, 나노입자의 도입이 미세조직을 정련(refine)하고 계면 결합을 향상시키는 방식을 부각한다. 이 논문은 견고한 금속간화합물 형성과 땜납 매트릭스의 최적화를 위해 나노입자의 역할에 중점을 두면서 고상 형성 과정(solid formation processes)을 심층적으로 다룬다. 핵심 성과로는 인장강도, 연성 및 열 사이클링 신뢰성의 향상이 포함된다. 마지막으로 친환경적이며 저온인 나노입자 보강 땜납을 위한 향후 방향을 논의함으로써, 차세대 땜납 기술을 위한 포괄적인 로드맵을 제시한다. • 저온 Sn-Bi 땜납 합금. • 표면 마감 처리(Surface finishing Treatments). • 금속간화합물의 형성. • Sn-Bi 땜납에서 나노입자의 영향. • Sn-Bi 땜납 합금의 도전 과제와 전망.
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.110006
Materials science
Soldering
Metallurgy
Nanoparticle
Nanotechnology
3
Article
|
·
인용수 1
·
2025
Exploring ultrathin tungsten disulfide as a diffusion barrier for copper interconnects: advanced packaging reliability and a first-principles study
Vijay D. Chavan, Touko Lehenkari, Suhas Yadav, Ruhan E. Ustad, Zulfqar Ali Sheikh, Ajay T. Avatare, Tushar P. Kamble, Laraib Sajjad, Hannu‐Pekka Komsa, Sandip Sabale, Kyeong-Keun Choi, Seungbae Park, Ghulam Dastgeer, Honggyun Kim, Deok‐kee Kim
IF 7.6 (2025)
Materials Today Nano
https://doi.org/10.1016/j.mtnano.2025.100631
Reliability (semiconductor)
Copper
Tungsten
Diffusion barrier
Materials science
Electronic packaging
Tungsten disulfide
Diffusion
Integrated circuit packaging
Nanotechnology
최신 정부 과제
2
과제 전체보기
1
2024년 4월-2028년 12월
|842,700,000원
회절한계를 극복하는 테라헤르츠 배열형 나노 검출기 개발
o 회절한계를 극복하는 테라헤르츠 나노센서 개발-고효율 나노안테나 테라헤르츠 배열 센서 (HW)-대면적 고해상도 영상획득 실시간 영상처리 기법 (SW)-대면적 고해상도 테라헤르츠 영상 시스템 (SYS)
테라헤르츠
나노 안테나
나노 센서
실시간 이미징
고해상도 이미징
2
2023년 5월-2027년 12월
|5,700,000,000원
200 mm Cu BEOL 기반 이종집적용 첨단패키지 선행공정 기술개발
200 mm 대구경 웨이퍼기반으로 Cu 후반공정 (Back End Of Line) 기술을 바탕으로 이종집적용 3D 하이브리드본딩 및 2D 폴리머기반 금속재배선 연구개발 지원을 위한 선행공정 기술을 개발하고 첨단패키지 관련 산학연의 연구개발을 지원한다.
첨단패키징
하이브리드 본딩
재배선
폴리머 인터포져
후공정
최신 특허
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상태출원연도과제명출원번호상세정보
공개2024사탕수수 주스 연료 및 유도 연소 합성법을 이용한 Mn0.5Co0.5Fe2O4 초상자성 나노입자의 제조방법1020240114775
등록2024사탕수수 주스 연료 및 유도 연소 합성법을 이용한 Cu0.5Co0.5Fe2O4 초상자성 나노입자의 제조방법1020240114774
공개2023멤리스터, 멤리스터 제조 방법 및 멤리스터용 하이브리드 나노복합체 제조 방법1020230109471
전체 특허

사탕수수 주스 연료 및 유도 연소 합성법을 이용한 Mn0.5Co0.5Fe2O4 초상자성 나노입자의 제조방법

상태
공개
출원연도
2024
출원번호
1020240114775

사탕수수 주스 연료 및 유도 연소 합성법을 이용한 Cu0.5Co0.5Fe2O4 초상자성 나노입자의 제조방법

상태
등록
출원연도
2024
출원번호
1020240114774

멤리스터, 멤리스터 제조 방법 및 멤리스터용 하이브리드 나노복합체 제조 방법

상태
공개
출원연도
2023
출원번호
1020230109471