이황화 몰리브덴(MoS2)은 슈퍼커패시터용 전극 재료로서 상당한 잠재력을 지니고 있지만, 불활성인 기저면은 전자 상태의 활성화를 방해하여 전기화학적 성능을 제한한다. 이러한 문제를 극복하기 위해 우리는 박리-재조립(exfoliation-reassembly) 방법을 사용하여 새로운 층상 나노복합체(Ni-삽입 1T-MoS2)를 개발하고 성공적으로 합성하였다. 그 결과, X선 회절, 라만 분광법 및 투과전자현미경(TEM)을 통해 1T-MoS2 격자의 층간 공간 내에 Ni 양이온이 분포하는 양상을 조사하였다. 그에 따라 Langmuir 비표면적 측정으로 확인된 바와 같이 Ni 이온의 적절한 삽입(intercalation)으로 인해 고도로 다공성 구조가 구현되었다. 또한 Ni/1T-MoS2의 전기화학적 결과는 축전(충전) 저장 동역학 측면에서 층상 복합 구조가 제공하는 이점을 강하게 뒷받침한다. 전류밀도 0.5 A g−1에서 Ni/1T-MoS2 복합체는 현저한 시너지 특성을 보이며, 높은 비정전용량 1488 F g−1을 달성하였다. 5000사이클 후에도 Ni/1T-MoS2 복합체는 정전용량의 95.14%를 유지하여 우수한 사이클 안정성을 보여주었다. 더 나아가 다공성 Ni/1T-MoS2와 활성탄을 결합한 비대칭 디바이스는 뛰어난 에너지 밀도(914 W kg−1에서 95.14 Wh kg−1)와 우수한 사이클 안정성(5000사이클 후 정전용량 유지율 92.1%)을 나타냈다. LED의 성공적인 구동은 Ni/1T-MoS2(0D/2D) 복합체가 고에너지 저장 응용 분야에서 잠재력을 갖고 있음을 보여준다.

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