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인용수 1
·2025
Vertical Self‐Rectifying Memristive Arrays for Page‐Wise Parallel Logic and Arithmetic Processing
K.-A. Son, Jea Min Cho, Dong Hoon Shin, Yeong Rok Kim, N. Ghenzi, Sunwoo Cheong, Byeong‐Su Kim, Jung‐Kyu Lee, Sungho Kim, Wonho Choi, Soo Hyung Lee, Janguk Han, Cheol Seong Hwang
IF 26.8Advanced Materials
초록

-TiN 멤리스터. 각각 인트라 페이지 및 인터 페이지 연산을 수행하기 위해 두 가지 논리 프리미티브인 1 M 및 2 M 로직이 사용되며, 이에 따라 저항성 상태 천이를 통해 어레이 내부에서 핵심 불리언 함수를 완전히 실행할 수 있다. 이러한 논리 연산을 바탕으로 덧셈, 뺄셈, 증가(inc) 및 감소(dec)를 포함한 필수 산술 기능을 수행하는 멤리스티브 산술 논리 단위(mALU)가 설계된다. 수직 구조의 수직 저항성 랜덤 액세스 메모리의 특성으로 인해, 2비트 풀 애더가 단지 세 개의 셀만을 차지하는 면적(footprint)으로 구현되며 12단계에서 완료된다. 제안된 인트라 및 인터 페이지 연산과 완전한 mALU 기능은 높은 재현성으로 실험적으로 입증되었다. 시공간 비용이 크게 감소한 것과 결합하여, 이 결과는 확장 가능하고 에너지 효율적인 인-메모리 컴퓨팅을 위한 이 아키텍처의 가능성을 부각한다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.

키워드
Von Neumann architectureArithmetic logic unitBottleneckAdderScalabilityResistive touchscreenLogic gateMemory footprintComputation
타입
article
IF / 인용수
26.8 / 1
게재 연도
2025

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