황철성 교수 연구실
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인용수 1
·2025
Ferroelectric and field-induced ferroelectric phase formation in atomic-layer-deposited ZrO2 thin films with TiN electrodes
Jae Hee Song, Kyung Do Kim, Jonghoon Shin, Seong Jae Shin, Suk Hyun Lee, Seung Yong Byun, In Soo Lee, Han Sol Park, Yeon Jae Kim, Hyun Woo Nam, Cheol Seong Hwang
IF 5.1Journal of Materials Chemistry C
초록
본 연구는 증착 온도(280–310 °C) 및 후속 금속화 열처리에 따른 구조적 및 전기적 특성을 분석함으로써 두께 10 nm의 ALD ZrO2 박막에서 강유전체 상 형성의 기원을 규명하고자 하였다.
*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.
키워드
Materials scienceFerroelectricityTinLayer (electronics)Thin filmElectrodePhase (matter)OptoelectronicsNanotechnologyDielectric