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·2026
The cylindrical devices with tunable positive, infinite, and negative capacitance for dynamic random access memory
Hyeon Woo Park, Won-Tae Koo, Dong Ik Suh, 서준성, Panithan Sriboriboon, Yunseok Kim, Seungyong Byun, YoungMo Kim, Ja-Yong Kim, Seung Wook Ryu, Heeyoung Jeon, Ki Vin Im, Gwangyeob Lee, Taeone Youn, Seho Lee, Jaeyun Yi, Seon Yong, Cheol Seong Hwang
IF 15.7Nature Communications
초록

층 두께(1.0~3.0 nm). 상분계(phase-field) 모델링에 기반한 상세한 분석 모델과 수치 시뮬레이션은, 주입되거나 포획된 계면 캐리어에 의한 강유전 분극 경계(속박) 전하의 보상과 원통 형상의 기하학적 효과를 고려하였다. 그 결과 불균일한 누설(전도) 장 에너지의 변화를 정밀하게 규명하였으며, 이는 커패시턴스 상태를 결정하는 데 핵심적인 역할을 하였다. 모델에 대한 추가 분석을 통해, 커패시턴스 변화는 강유전 도메인의 초기 분극 전하 보상 정도 및 누설 메커니즘의 범위와 강하게 상관관계가 있음을 확인하였다. 본 연구는 동적 랜덤 액세스 메모리의 차세대 커패시터를 개발하기 위한 지침을 제공한다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.

키워드
Negative impedance converterFerroelectricityCapacitanceCapacitorDielectricFerroelectric capacitorPolarization (electrochemistry)Differential capacitanceThin film
타입
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IF / 인용수
15.7 / 0
게재 연도
2026

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