황철성 교수 연구실
article|
·
인용수 30
·2022
Atomic Layer Deposition of Sb2Te3/GeTe Superlattice Film and Its Melt‐Quenching‐Free Phase‐Transition Mechanism for Phase‐Change Memory
Chanyoung Yoo, Jeong Woo Jeon, Seungjae Yoon, Yan Cheng, Gyuseung Han, Wonho Choi, Byongwoo Park, Gwangsik Jeon, Sangmin Jeon, Woohyun Kim, Yonghui Zheng, Jong‐Ho Lee, Jun‐Ku Ahn, Sunglae Cho, Scott B. Clendenning, I. V. Karpov, Yoon Kyung Lee, Jung‐Hae Choi, Cheol Seong Hwang
IF 29.4Advanced Materials
초록
합금화 및 그에 이은 용융-급냉 없이 무정질화. SL에서 FCC 구조로의 구조적 전이에 의해 유도된 면내 압축 응력은 FCC 구조의 [111] 방향을 따라 Ge의 전자이동(electromigration)을 강화하며, 이는 이러한 현저한 개선을 가능하게 한다. 설정 동작 스위치는 무정질상을 (111) 정렬을 갖는 FCC 구조로 전환한다.
*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.
키워드
Materials scienceSuperlatticeQuenching (fluorescence)Amorphous solidAlloyTinPhase (matter)Atomic layer depositionLayer (electronics)Electromigration