우리는 베타-산화갈륨(beta-gallium oxide, beta-Ga2O3) 강유전체 핀 필드효과 트랜지스터(ferroelectric fin field-effect transistors, Fe-FinFETs)의 효과를 최초로 실험적으로 입증하였다. 강유전체 층으로는 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD)된 하프늄 지르코늄 산화물(hafnium zirconium oxide, HZO)을 사용하였다. HZO/beta-Ga2O3 Fe-FinFET는 기존의 평면형 FET에 비해 전달 특성에서 반시계 방향(counterclockwise) 히스테리시스 루프가 더 넓어, 단일 HZO 층에서 13.9 V의 기록적 높은 메모리 윈도우(memory window, MW)를 달성하였다. 실제 채널 폭에 대해 정규화하면, FinFET는 향상된 ION/IOFF 비가 2.3×10^7이고, 항복 전도 스윙(subthreshold swing) 값은 110 mV/dec이었다. 이러한 향상된 특성은 beta-Ga2O3와 HZO 층 사이에서의 양호한 계면 특성을 나타내는 낮은 계면 상태 밀도(Dit)에 기인한다. FinFET에서 강유전체 전체 층을 가로지르는 전기장이 더 커짐에 따라 강화된 분극은 Sentaurus TCAD를 사용하여 검증하였다. 5×10^6회의 프로그램/소거(program/erase, PGM/ERS) 사이클 후에도 MW는 9.2 V로 유지되었으며, 보존 시간(retention time)은 낮은 열화와 함께 최대 3×10^4 s까지 측정되었다. 따라서 초광대역갭(ultrawide bandgap, UWBG) Fe-FinFET는 고밀도 비휘발성 메모리 소자의 유망한 후보 중 하나임이 확인되었다.

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