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Article
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·
인용수 2
·
2025
Strategic Material Design for Highly Reliable QLC 3D V-NAND Using Bypass Resistive Random Access Memory
Geonhui Han
,
Jongseon Seo
,
Junghoon Park
,
Minji Hong
,
Ju-Hyung Kim
,
Kilho Lee
,
Wanki Kim
,
Daewon Ha
,
Hyunsang Hwang
IF 7.8 (2025)
ACS Applied Materials & Interfaces
초록
V-NAND 메모리를 위한 고도로 균일한 스위칭을 보장하는 주입.
*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.
원문 확인하기
키워드
Resistive random-access memory
Materials science
NAND gate
Optoelectronics
Thermal conduction
Computer science
Voltage
Nanotechnology
Channel (broadcasting)
Electrical engineering
타입
Article
IF / 인용수
7.8 / 2
원문
https://doi.org/10.1021/acsami.5c00352
게재 연도
2025