본 연구에서는 Cu 도핑을 통해 옥소닉 임계 스위치(ovonic threshold switch, OTS)가 셀렉터 전용 메모리(selector-only memory, SOM)처럼 동작할 수 있도록 메모리 윈도우를 생성하는 방법을 제안한다. 장치 내부의 내재적 변형에 의존하는 기존 접근과 달리, 본 방법은 외부 Cu 전극을 통해 Cu의 공급과 이동을 제어함으로써 트랩 형성을 조절한다. Cu 전도성 필라멘트 형성으로 이어질 수 있는 양이온의 과도한 공급을 방지하기 위해, 일련저항과 C 확산 차단층을 사용하였다. 이 장치의 동작 메커니즘이 Cu 필라멘트성 스위칭에 기반하지 않음을 입증하기 위해 양극성 스위칭(bipolar switching) 거동을 제시하였다. 또한 메모리 윈도우, 누설 전류, 유지(retention) 사이의 관계가 기록 전류(write current)에 따라 달라짐을 확인하였다. 나아가 트랩에 의해 유발되는 임계 전압 변화(threshold voltage variation)를 설명하기 위해 트랩 밀도와 활성화 에너지의 변화를 분석하였다. 본 연구는 메모리 윈도우를 달성할 수 없었던 기존의 OTS 소자들이 SOM으로 동작하도록 하는 경로를 제공한다.

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