|황현상 교수 연구실
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인용수 1
·2025
High‐Performance and Scalable Ferroelectric Diodes Enabled via 2D‐MoS 2 Buffer Layer Under Low Thermal Budget
Seungkwon Hwang, Kyumin Lee, Laeyong Jung, Hojung Jang, Byeongjin Park, Seock‐Jin Jeong, Jongwon Yoon, Jung‐Dae Kwon, Kim Yonghun, Hyunsang Hwang
IF 12.1 (2025) Small
초록

10년 동안 실온에서 안정적인 메모리 보존을 달성하였다. 또한 1 K(32×32) 메모리 어레이도 시연되어, 뛰어난 확장성과 차세대 집적 메모리 응용을 위한 이 FE 다이오드 설계의 강력한 잠재력을 확인하였다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.

키워드
FerroelectricityAtomic layer depositionBuffer (optical fiber)Schottky diodeNon-volatile memoryLayer (electronics)DiodeLeakage (economics)Quantum tunnelling
타입
Article
IF / 인용수
12.1 / 1
원문
https://doi.org/10.1002/smll.202508853
게재 연도
2025