본 연구에서는 펄스 하강 시간(Tfall)이 SiGeAsSe 기반 셀렉터 전용 메모리(SOM) 소전(semiconductor-only memory, SOM) 장치의 전기적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 실험 결과, Tfall를 증가시키면 SiGeAsSe 장치에서 문턱전압(Vth)이 증가하고 Vth 드리프트가 감소함을 확인하였다. 최적화된 장치는 현저한 메모리 창(> 1 V)을 나타내며 드리프트 특성(10 mV/dec.)이 유의하게 억제되었다. 고온에서의 전기적 측정은 Tfall가 재료 이완(material relaxation)의 중요한 요인 중 하나임을 보여주었고, 이러한 개선은 셀코젠화물(chalcogenide) 박막에 의도적으로 유도된 재구성(reconfiguration)에 기인하는 것으로 해석된다. 또한 본 결과는 적절한 Tfall가 고온에서 메모리 창의 열화(degradation)를 효과적으로 완화할 수 있음을 시사한다. 이러한 결과는 SOM 장치에서 재료 이완의 역할에 대한 유용한 통찰을 제공하며, 고성능 메모리 장치 개발에 잠재적으로 기여할 수 있다.

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