2단자 선택소자기반의 신개념 메모리 어레이 소자 및 웨이퍼스케일 공정 개발- As-free chalcogenide 신소재 원천기술을 개발하여 단위소자의 전기적 특성 및 신뢰성 문제를 해결하고 소자의 동작 원리를 규명함.- 4인치 이상의 웨이퍼에서 균일하게 저온 증착 가능한 ALD 및 sputtering 증착 공정을 개발함. - 4K 이상의 어레이에서 소자...
가변 임계전압 메모리
오보닉 임계 스위치
고집적 메모리
크로스바 어레이
어레이 설계 및 시뮬레이션
2
2024년 2월-2026년 12월
|940,000,000원
고집적 메모리용 2단자 가변 임계전압 소자 원천기술 및 크로스바 어레이 개발
2단자 선택소자기반의 신개념 메모리 어레이 소자 및 웨이퍼스케일 공정 개발- As-free chalcogenide 신소재 원천기술을 개발하여 단위소자의 전기적 특성 및 신뢰성 문제를 해결하고 소자의 동작 원리를 규명함.- 4인치 이상의 웨이퍼에서 균일하게 저온 증착 가능한 ALD 및 sputtering 증착 공정을 개발함. - 4K 이상의 어레이에서 소자...
가변 임계전압 메모리
오보닉 임계 스위치
고집적 메모리
크로스바 어레이
어레이 설계 및 시뮬레이션
3
2023년 3월-2025년 12월
|179,426,000원
고집적 스토리지 클래스 메모리 및 딥러닝 가속기 구현을 위한 CMOS 공정호환 고성능 ECRAM 소자 개발
본 과제에서는 신개념 스토리지 클래스 메모리 및 딥러닝 가속기 구현에 활용될 수 있는 CMOS 공정호환 가능한 소재와 공정을 활용한 고성능의 ECRAM 소자 기술을 개발하고자 함.ㅇ Mg, Ca, Cu, O 등의 이온의 교환 혹은 이동을 통해 일어나는 ECRAM 소자의 전도도 스위칭 특성을 구현하기 위한 채널, 전해질, 이온저장층 및 전극 소재 기술을 개발...
전기화학적메모리
차세대 메모리 소자
시냅스 소자
아날로그 메모리
뉴로모픽 컴퓨팅
4
2023년 3월-2025년 12월
|190,406,000원
고집적 스토리지 클래스 메모리 및 딥러닝 가속기 구현을 위한 CMOS 공정호환 고성능 ECRAM 소자 개발
본 과제에서는 신개념 스토리지 클래스 메모리 및 딥러닝 가속기 구현에 활용될 수 있는 CMOS 공정호환 가능한 소재와 공정을 활용한 고성능의 ECRAM 소자 기술을 개발하고자 함.ㅇ Mg, Ca, Cu, O 등의 이온의 교환 혹은 이동을 통해 일어나는 ECRAM 소자의 전도도 스위칭 특성을 구현하기 위한 채널, 전해질, 이온저장층 및 전극 소재 기술을 개발...
전기화학적메모리
차세대 메모리 소자
시냅스 소자
아날로그 메모리
뉴로모픽 컴퓨팅
5
주관|
2023년 3월-2025년 12월
|171,664,000원
고집적 스토리지 클래스 메모리 및 딥러닝 가속기 구현을 위한 CMOS 공정호환 고성능 ECRAM 소자 개발
본 과제는 컴퓨터 저장장치와 인공지능 연산을 더 빠르게 하기 위한 신개념 메모리 ECRAM 소자를 CMOS 공정과 맞춰 만드는 연구임.
연구 목표는 Mg, Ca, Cu, O 등의 이온 교환·이동 기반 전도도 스위칭을 구현하기 위한 채널, 전해질, 이온저장층 및 전극 소재와 공정을 개발하는 데 있음. 연구 내용은 1~2차년도에 CMOS 공정호환 산소 이온 기반 ECRAM 소재·단위 소자 제작과 4K 독립 소자 어레이 통계 분석·최적화 수행, 3차년도에 3차원 수직형 소자 및 대규모 어레이 제작·특성 검증을 수행하는 것임. 기대 효과는 고속 대용량 스토리지 클래스 메모리와 딥러닝 가속기의 핵심 구성요소로 활용되어 인공지능 학습 속도와 에너지 효율이 향상될 수 있음.