상보성 금속-산화물-반도체(Complementary metal–oxide–semiconductor, CMOS) 각도 민감 단일광자 애벌랜치 다이오드(angle-sensitive, single-photon avalanche diode, ASPAD) 센서는 단일 광자로부터 플레노픽 정보를 추출하여 계산 기반 렌즈 없는(lens-less) 광학을 가능하게 한다. 그러나 ASPAD 센서는 파운드리 금속 적층(founding metal stack) 설계의 제약을 받아 변조 이득(modulation gain)에 한계가 있었다. 본 논문에서는 수직 인터커넥트 접속(vertical interconnect access, VIA) 층을 추가적인 광학 격자 요소로 사용함으로써 변조 이득을 유의미하게 향상시키는 설계 방법론을 제안한다. 금속-VIA 격자 구조는 피치-파장-층 간(trade-off) 절충을 감소시키고 변조 범위를 확장한다. 측정을 통해 다양한 각도 민감도에서 최대 16.13%의 변조 이득 증가를 입증하였다. 설계는 표준 CMOS 4M1P 110 nm 공정을 사용해 제조되었다.

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