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김성진 연구실
서강대학교 시스템반도체공학과 김성진 교수
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김성진 연구실

서강대학교 시스템반도체공학과 김성진 교수

김성진 연구실은 CMOS 기반 아날로그 및 픽셀-레벨 혼합신호 회로를 설계하여 생체전위 기록과 심도센싱, 센서 계측을 수행하는 연구를 진행합니다. chopper 안정화 및 양(+) 궤환 캘리브레이션을 이용해 입력 임피던스 열화와 잡음 문제를 관리하는 AFE 구조를 보유하고 있습니다. 또한 CIS용 플래시 라이다와 간접 ToF에서 픽셀 내 히스토그램 TDC, 자기 기준 ADC, 배경광 억제 및 비이상 보정 기법을 결합해 실시간 심도 획득을 구현합니다. 더불어 센서 신호를 변환하는 low-power 변환 회로와 선형 포토커런트 기록 전단을 함께 개발합니다.

CMOS 이미지센서플래시 라이다Time-of-Flight 센서히스토그램 TDC인픽셀 혼합신호 회로
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CMOS 생체전위/뇌신호 아날로그 프런트엔드 및 다중 전극 인터페이스 회로 thumbnail
CMOS 생체전위/뇌신호 아날로그 프런트엔드 및 다중 전극 인터페이스 회로
CMOS Biopotential/Neural Recording Analog Front-Ends and Multi-Electrode Interfaces
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CMOS 플래시 라이다 및 간접 ToF 심도센싱 픽셀-레벨 시간-디지털 변환 IP thumbnail
CMOS 플래시 라이다 및 간접 ToF 심도센싱 픽셀-레벨 시간-디지털 변환 IP
CMOS Flash LiDAR and Indirect ToF Depth Sensing with Pixel-Level Time-Digital Converter IP
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저전력 정밀 센서 계측을 위한 온칩 변환 회로(온도 F→및 포토커런트 기록) thumbnail
저전력 정밀 센서 계측을 위한 온칩 변환 회로(온도 F→및 포토커런트 기록)
Low-Power Precision Sensor Interface Converters for On-Chip Thermal Monitoring and Photocurrent Reco
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연구 성과 추이
표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.
주요 논문
5
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1
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·
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·
2025
A 4.6 μW, 133-V PP Common-Mode Interference-Tolerant Biopotential Amplifier for Two-Electrode Recording System in 110-nm CMOS
Yongjae Park, Yeong-Jin Mo, Jeong Hun Kim, Gert Cauwenberghs, Seong‐Jin Kim
IF 5.6 (2025)
IEEE Journal of Solid-State Circuits
이 논문은 2-전극 측정 시스템을 위해 특별히 설계된 생체전위(biopotential) 기록 아날로그 프론트엔드(AFE)를 제시한다. 이 시스템은 130 VPP를 초과하는 큰 공통모드 간섭(CMI)에 대해 허용하면서도, 작은 생체전위 신호를 포착할 수 있다. 밀러 효과를 활용하여 제안된 CMI-Follower는 매우 낮은 공통모드 입력 임피던스( )를 제공함으로써, 추가적인 잡음 기여 없이 큰 CMI 허용도를 달성한다. 낮은 는 분리된 칩 접지(Chip-GND)가 결합된 CMI를 정밀하게 추종하도록 하여, Chip-GND 기준 입력 CMI를 크게 감소시킨다. 또한 제안된 CMI-Follower는 전력 소모가 큰 기법에 의존하지 않으면서도 본질적으로 큰 전체 공통모드 제거비(total common-mode rejection ratio, T-CMRR)를 가진다. 입력 공통모드 범위(ICMR)를 확장하기 위해 잡음 효율적인 공통모드 적응 전류 재사용 연산 트랜스컨덕턴스 증폭기(common-mode adaptive current-reuse operational transconductance amplifier, CMA-CR-OTA)도 제안한다. 이 증폭기는 잔여 CMI가 400 mVPP를 초과하는 경우에도(예상치 못한 큰 기생 커패시턴스( )가 Chip-GND와 Earth-ground(Earth-GND) 사이에 존재함으로써 발생할 수 있음) 생체전위 신호를 선형적으로 증폭한다. 110-nm CMOS 공정으로 제작된 프로토타입 AFE는 1~1.5-V 전원에서 채널당 W를 소모한다. CMI-Follower는 전체 전력 소모의 17%만을 차지하면서도 130VPP를 초과하는 CMI 허용도를 지원한다. 실험 결과, 제안된 AFE는 낮은 입력 기준 잡음(input-referred noise, IRN) Vrms(0.5–100Hz) 덕분에 76-VPP CMI의 실제 환경 조건에서도 전기심전도(Electrocardiograms, ECG) 및 뇌파전도(Electroencephalograms, EEG)와 같은 작은 생체전위 신호를 성공적으로 포착함을 보여준다. 프로토타입 AFE는 또한 각각 5% 및 30%의 건식 전극 임피던스 불일치에서 T-CMRR이 90.5-dB 및 102-dB에 도달한다.
https://doi.org/10.1109/jssc.2025.3613410
Amplifier
Noise (video)
Operational transconductance amplifier
CMOS
Transconductance
Capacitance
Parasitic capacitance
Channel (broadcasting)
2
Article
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인용수 0
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2025
A Compact Photocurrent Recording IC With High-Linearity Dual PWM Buffered R-DACs
Jee-Ho Park, Ji-Hyoung Cha, Yongjae Park, Seong‐Jin Kim
IF 5.6 (2025)
IEEE Journal of Solid-State Circuits
이 논문은 에너지 효율과 소형화를 모두 강조하는 광전류 기록 프런트엔드를 제안한다. 제안된 프런트엔드 회로는 전압 제어 발진기 기반 양자화기(VCOQ)와 피드백 전류를 위한 디지털 저역통과 필터로 구성되어, 변환 효율을 최적화한다. 또한 향상된 선형성과 면적 효율을 위해 이중 펄스폭 변조(PWM) 기반 버퍼드 저항성 디지털-아날로그 변환기(R-DAC)를 사용한다. 일반적인 구조 대신 디지털 카운터로 구현된 PWM 로직은 동적 전력 요구를 감소시킨다. 더 나아가 디지털 필터 피드백 루프에 비트 심도가 확장된(coarse) R-DAC를 통합함으로써 동적 범위(DR)를 크게 향상시킨다. 제안된 아키텍처는 또한 루프 이득 캘리브레이션과 빠른 정착(fast-settling) 피드포워드 경로를 통해 수동 적분기에 대한 기생 효과를 완화하고, 입력 광전류의 급격한 변동으로 인해 포화로 발생하는 데이터 손실을 줄인다. 90 nm CMOS 공정에서 제작된 프로토타입 칩은 0.067 mm2의 면적을 차지하며, 피크 신호대 잡음 및 왜곡비(SNDR) 87.66 dB와 에너지 효율 0.188 pJ/conv를 달성한다. 또한 DR 확장 루프를 통해 144 dB의 DR을 얻는다.
https://doi.org/10.1109/jssc.2025.3558937
Linearity
Photocurrent
Dual (grammatical number)
Pulse-width modulation
Computer science
Electrical engineering
Electronic engineering
Materials science
Optoelectronics
Engineering
3
Article
|
·
인용수 1
·
2025
An Indirect ToF Sensor With In-Pixel Adaptive ΔΣ -Scheme for Background Light Rejection and Floating Diffusion Mismatch Cancellation
Yongjae Park, Jubin Kang, Dahwan Park, Jung-Hye Hwang, Seonghyeok Park, Insang Son, Seong‐Jin Kim
IF 5.6 (2025)
IEEE Journal of Solid-State Circuits
이 논문은 큰 배경 광(BGL)을 완화하되 리셋 잡음 페널티를 줄이기 위해 픽셀 내 적응형 ΔΣ 방식으로 부-적분 시간의 개수를 적응적으로 제어하는 160 × 120 간접 비행시간(iToF) 센서를 제시한다. 공통모드 BGL에 의한 전하를 억제하기 위해 픽셀 수준의 전하 증폭기를 사용하며, 적응형 ΔΣ 방식은 BGL 강도에 따라 전하-차감 연산의 수를 자동으로 선택하여 전하 증폭기의 잡음 기여를 감소시킨다. 또한 FD 불일치로 인한 깊이 선형성 저하 및 잔여 BGL 전하와 같은 비이상성을 완화하기 위해 픽셀 내 부유 확산(FD) 스와핑 기법을 제안한다. 제안된 iToF 센서는 110-nm 후면 조사(backside illumination) CMOS 이미지 센서(CIS) 공정으로 제작되었으며, 0.3~2.9 m 범위의 깊이 영상을 10-ms 적분 시간에서 깊이 잡음 2.7% 미만 및 비선형성 2.1%로 획득하고, 50-MHz 변조 주파수에서 30 fps를 제공한다. 제안된 FD 스와핑은 0.6–3 m 깊이 범위에서 깊이 비선형성을 3.8%에서 1.5%로 개선한다. 제안된 적응형 ΔΣ 방식은 940 nm에서 30-nm 대역폭(BW) 광학 밴드패스 필터를 사용했을 때 BGL 광학 출력이 3.3 mW/cm2까지의 BGL에 대해 내성을 지원하며, 프로토타입은 60-klx 이상의 태양광 조건에서 야외에서 성공적으로 시연되었다.
https://doi.org/10.1109/jssc.2025.3564624
Scheme (mathematics)
Diffusion
Pixel
Computer science
Acoustics
Physics
Artificial intelligence
Mathematics
최신 정부 과제
14
과제 전체보기
1
2025년 4월-2028년 12월
|2,151,000,000원
단일광자 증폭기 기반 200미터급 수중 라이다 시스템 개발
> 수중에서 3차원 공간 정보를 취득할 수 있는 단일광자 증폭기 기반 라이다 시스템을 개발하고 취득된 3차원 영상으로부터 객체를 인식하는 알고리즘 기술 개발 - 200-m 최대 감지거리, 20cm 이하의 거리해상도를 가지는 4채널 All-Digital SiPM 수중 라이다 센서 IC 개발 - 수중 환경에서 감쇠가 적은 400~550nm 대역에서 3kW 이상...
단일광자 증폭기
라이다
수중
레이저
비행시간
2
2023년 11월-2026년 10월
|1,759,550,000원
친환경 하이브리드 반도체 소재 기반 M3D SWIR CMOS 이미지 센서 개발
본 제안 과제에서는 한-미공동기술개발을 통해 친환경 하이브리드 반도체 기반의 포토다이오드와 CMOS 센서의 모놀리식 삼차원 집적을 통한 SWIR (short-wavelength infrared) 이미지 센서를 개발을 목표로 함. 이 과정에서 한-미간의 국제협력을 통해 개발된 하이브리드 소재의 구조 및 광특성을 분석 및 평가하여 효과적으로 기술 개발을 진행하...
이미지센서
단파장적외선
하이브리드반도체
양자점
유기반도체
3
2023년 7월-2030년 12월
|3,542,268,000원
초거대 AI를 위한 대규모데이터센터용 인공지능 시스템반도체 인력양성 및 핵심기술 개발
[초거대 AI를 위한 대규모데이터센터에 활용될 수 있는 초고효율·초저전력 인공지능 반도체 핵심 기술 개발 및 고급 인력 양성]● 인공지능 반도체를 위한 시스템 핵심/응용 소프트웨어 기술과 회로/소자 핵심 설계 및 융합 기술 개발● 인공지능 반도체 관련 소프트웨어와 하드웨어 설계 역량을 갖춘 SW-HW 융합형 석박사 고급 인력 양성 (8년간 석박사 480명 ...
인공지능반도체
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공개2024발광 시간을 변조하는 라이다 센서1020240016259
등록2024생체 신호 측정 장치1020240011778
공개2024표적 자극 시스템 및 그의 동작 방법1020240002469
전체 특허

발광 시간을 변조하는 라이다 센서

상태
공개
출원연도
2024
출원번호
1020240016259

생체 신호 측정 장치

상태
등록
출원연도
2024
출원번호
1020240011778

표적 자극 시스템 및 그의 동작 방법

상태
공개
출원연도
2024
출원번호
1020240002469