RF 마그네트론 스퍼터 시스템을 사용하여 Al / AlO x / Al 소자를 제작하였다. 해당 소자는 단극성 저항 스위칭 과정을 보였다. 본 연구에서 소자의 스위칭 메커니즘은 도전성 필라멘트(conductive filament) 모델을 따르는 것으로 확인되었다. 도전성 필라멘트 모델에 대한 전도 메커니즘은 저저항 상태(LRS)에서는 옴(Ohmic) 전도, 고저항 상태(HRS)에서는 쇼트키 방출(Schottky emission)을 사용하여 설명하였다. 판독 전압(0.1 V)을 달성했을 때 HRS와 LRS 사이의 저항 비 평균값은 약 3.48 × 10^7이었다. 내구성(endurance)에 대한 전기적 특성은 50회의 스위칭 사이클에서 달성되었다. 저전력 소자를 위한 낮은 스위칭 전압을 얻을 수 있었다. 이러한 결과는 AlO x 재료가 비휘발성 랜덤 액세스 메모리(nonvolatile random access memory) 응용에 활용될 수 있는 다양한 가능성을 지닌다는 것을 입증하였다.

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