석중현 연구실
서울시립대학교 물리학과
석중현 교수
기초 물리
이론-실험 연계
물리 데이터 분석
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석중현 연구실
서울시립대학교 물리학과 석중현 교수
석중현 연구실은 물리학 분야에서 기초 물리현상의 규명, 물리 데이터의 정량적 분석, 측정 기반 물성 특성화의 연구를 수행합니다. 연구 과정에서는 관측 가능 물리량을 정의하고, 이론 모델과 실험 결과의 정합성을 검증하는 방식으로 물리적 원인을 설명하려는 접근을 사용합니다. 또한 신호 처리와 통계적 모델링을 통해 측정 데이터에서 유의미한 정보를 추출하고, 측정 조건 변화에 따른 경향성과 오차 요인을 분석하여 해석의 안정성을 확보합니다. 입력된 실적 데이터는 없으나, 물리학과 소속을 기반으로 물리 현상 이해를 위한 데이터-모델 연계 역량을 핵심으로 합니다.
기초 물리이론-실험 연계물리 데이터 분석불확실성 해석측정 오차
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기초 물리현상 규명 및 이론-실험 연계 연구
Fundamental Physics Phenomenology and Theory-Experiment Integration
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기초 물리현상 규명 및 이론-실험 연계 연구
Fundamental Physics Phenomenology and Theory-Experiment Integration
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물리 데이터 분석 및 모델링 연구
Physics Data Analysis and Modeling
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물성 특성화 및 측정 기반 물리 연구
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표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.
최신 논문
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1
Article
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인용수 5
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2021Thermoelectric properties of Ni/Ge-multilayer-laminated silicon
Kyongmin Kim, Seungeun Mun, Moongyu Jang, Junghyun Sok, Kyoungwan Park
IF 2.983 (2021)
Applied Physics A
https://doi.org/10.1007/s00339-020-04200-2
Seebeck coefficient
Thermoelectric effect
Materials science
Thermoelectric materials
Thermal conductivity
Silicon
Electrical resistivity and conductivity
Optoelectronics
Composite material
Electrical engineering
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Article
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인용수 7
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2018Properties of Resistive Switching in TiO₂ Nanocluster-SiOx(x<2) Matrix Structure
Seunggon Song, Kyongmin Kim, Kyun Ho Jung, Junghyun Sok, Kyoungwan Park
IF 0.407 (2018)
JSTS Journal of Semiconductor Technology and Science
본 연구에서는 SiO_x(x2) 매트릭스 층을 갖는 TiO₂ 나노클러스터의 저항 변화 비휘발성 메모리 특성을 조사한다. 우리는 열처리 온도 900°C에서 3 h 동안 SiO₂/Si/TiO₂ 다층막을 열처리하여, SiO_x(x2) 층 내에 분포된 TiO₂ 다결정 루틸 나노클러스터를 제작한다. 그 후 전류-전압 스윕을 기반으로 저항성 스위칭 거동을 관찰한다. 이어서 TiO₂의 Magnéli(또는 Magnéli-like) 나노상에서의 옴성(Ohmic) 전도와 낮은 저항 상태에서는 SiO_SUBx/SUB(x2) 매트릭스 층에서 트랩-보조 터널링, 높은 저항 상태에서는 Poole–Frenkel 방출의 조합을 이용하여 소자의 전도 메커니즘을 설명한다. TiO₂ 나노클러스터의 상변화와 SiO_SUBx/SUB(x2) 매트릭스에서의 도전성 필라멘트 형성/파괴는 주로 소자의 저항성 스위칭에 기인한다.
https://doi.org/10.5573/jsts.2018.18.1.108
Nanoclusters
Materials science
Resistive random-access memory
Crystallite
Annealing (glass)
Quantum tunnelling
Ohmic contact
Thermal conduction
Optoelectronics
Rutile
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Article
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인용수 86
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2017Temperature dependence of the interfacial magnetic anisotropy in W/CoFeB/MgO
Kyoung‐Min Lee, Jun Woo Choi, Junghyun Sok, Byoung‐Chul Min
AIP Advances
W/CoFeB (1.2 ∼ 3 nm)/MgO 박막 구조에서 계면 수직 자기 이방성은 온도에 크게 의존하며, 고온에서 현저히 감소한다. 계면 자기 이방성은 일반적으로 자화의 세제곱에 비례하지만, 초박막 CoFeB 필름의 자기 이방성 온도의존성을 설명하기 위해서는 열팽창에 의한 추가 요인이 필요하다. 자기 이방성의 감소는 박막이 더 얇을수록 더 뚜렷하며, 온도가 300 K에서 400 K로 증가할 때 1.2-nm 두께의 CoFeB는 이방성이 약 50% 감소하는 반면, 1.7-nm 두께의 CoFeB는 이방성이 약 30% 감소한다. 이러한 고온에서의 상당한 자기 이방성 감소는, W/CoFeB/MgO 박막 구조를 자기저항성 랜덤 액세스 메모리 장치에 통합할 때 데이터 보존에 문제가 된다. 따라서 더 높은 온도에서도 큰 자기 이방성을 유지하기 위한 대안적인 자기 재료와 구조가 필요하다.
https://doi.org/10.1063/1.4985720
Materials science
Anisotropy
Magnetic anisotropy
Condensed matter physics
Magnetization
Thin film
Nuclear magnetic resonance
Magnetic field
Nanotechnology
Optics
최신 정부 과제
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1
주관|
2011년 4월-2014년 4월
|56,400,000원이중벽 탄소나노튜브의 in-situ 보론 도핑을 통한 차세대 플렉시블 디스플레이용 투명 전극 개발
본 과제는 기존 ITO 등을 대체할 차세대 소재인 탄소나노튜브 투명전극의 성능을 높이기 위해 전기 전도도와 투명성을 개선하는 핵심 기술을 개발하는 연구임.
연구 목표는 DWCNT의 전자구조를 조절하고 전도도를 높이기 위한 in-situ boron 도핑 기술 확보에 있음. 주요 내용은 이중벽 탄소나노튜브의 도핑 공정 개발, 도핑 농도 제어, 1000℃ 이하 저온 도핑 공정, 고순도 정제 기술 확립 및 Raman spectroscopy와 XPS 기반 특성 분석 수행임. 기대 효과는 차세대 투명전극 상용화 촉진, 유기태양전지·스마트 윈도우 등 다양한 전기전자 분야 적용 확대 및 국내 기업의 시장 경쟁력 강화임.
In situ 도핑
투명전극
탄소나노튜브
전자 구조 제어
면저항
플렉시블 디스플레이
터치스크린
저온 도핑
p type 도핑
2
주관|
2011년 4월-2014년 4월
|56,400,000원이중벽 탄소나노튜브의 in-situ 보론 도핑을 통한 차세대 플렉시블 디스플레이용 투명 전극 개발
본 과제는 가볍고 투명하며 잘 구부러지는 차세대 투명전극을 만들기 위해 탄소나노튜브의 성능을 높이는 기술을 개발하는 연구임.
연구 목표는 DWCNT의 전자구조 제어와 전기 전도도 향상을 위한 in-situ boron 도핑 기술 확보에 있음. 핵심 내용은 이중벽 탄소나노튜브에 boron을 저온에서 안정적으로 도핑하는 공정, 도핑 농도 제어 기술, 고순도 정제 기술을 개발하고 Raman spectroscopy와 XPS 분석으로 전도도와 투명도 변화를 평가하는 것임. 기대 효과는 개발된 기술이 유기태양전지, 스마트 윈도우, 휴대용 IT 제품의 투명전극 소재로 활용됨으로써 국내 기업의 기술 경쟁력 강화와 신시장 창출로 이어지는 것임.
In situ 도핑
투명전극
탄소나노튜브
전자 구조 제어
면저항
플렉시블 디스플레이
터치스크린
저온 도핑
p type 도핑
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2010년 5월-2011년 5월
|79,000,000원나노하드 멤브레인 제작용 초고속 양극산화시스템 개발
본 과제는 보강재, 광전자소자, 촉매, photovoltaic cells, 반도체 전자소자, 고효율 필터, 가스 센서 등에 활용 가능한 TiO2, SrTiO3, SnO2, ZnO2 같은 금속 산화물 반도체 나노멤브레인을 개발하는 연구임.
연구 목표는 응용 가능한 나노멤브레인 제작을 위한 PID 농도/온도 조절형 양극산화시스템 제작에 있음. 핵심 연구 내용은 농도와 온도를 PID 제어로 안정화하여 양극산화 조건을 정밀 제어하는 공정 구현임. 기대 효과는 세라믹 나노 멤브레인 선진화임.
알루미나
멤브레인
양극산화
신호처리
제조장치
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자기터널접합소자 제조방법
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2007출원번호
1020070135013자성체 메모리 소자 및 그 동작 방법
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2001출원번호
1020010001883탄소나노튜브를 이용한 MRAM 및 그 제조 방법
상태
소멸출원연도
2001출원번호
1020010001351