본 연구에서는 SiO_x(x2) 매트릭스 층을 갖는 TiO₂ 나노클러스터의 저항 변화 비휘발성 메모리 특성을 조사한다. 우리는 열처리 온도 900°C에서 3 h 동안 SiO₂/Si/TiO₂ 다층막을 열처리하여, SiO_x(x2) 층 내에 분포된 TiO₂ 다결정 루틸 나노클러스터를 제작한다. 그 후 전류-전압 스윕을 기반으로 저항성 스위칭 거동을 관찰한다. 이어서 TiO₂의 Magnéli(또는 Magnéli-like) 나노상에서의 옴성(Ohmic) 전도와 낮은 저항 상태에서는 SiO_SUBx/SUB(x2) 매트릭스 층에서 트랩-보조 터널링, 높은 저항 상태에서는 Poole–Frenkel 방출의 조합을 이용하여 소자의 전도 메커니즘을 설명한다. TiO₂ 나노클러스터의 상변화와 SiO_SUBx/SUB(x2) 매트릭스에서의 도전성 필라멘트 형성/파괴는 주로 소자의 저항성 스위칭에 기인한다.

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