W/CoFeB (1.2 ∼ 3 nm)/MgO 박막 구조에서 계면 수직 자기 이방성은 온도에 크게 의존하며, 고온에서 현저히 감소한다. 계면 자기 이방성은 일반적으로 자화의 세제곱에 비례하지만, 초박막 CoFeB 필름의 자기 이방성 온도의존성을 설명하기 위해서는 열팽창에 의한 추가 요인이 필요하다. 자기 이방성의 감소는 박막이 더 얇을수록 더 뚜렷하며, 온도가 300 K에서 400 K로 증가할 때 1.2-nm 두께의 CoFeB는 이방성이 약 50% 감소하는 반면, 1.7-nm 두께의 CoFeB는 이방성이 약 30% 감소한다. 이러한 고온에서의 상당한 자기 이방성 감소는, W/CoFeB/MgO 박막 구조를 자기저항성 랜덤 액세스 메모리 장치에 통합할 때 데이터 보존에 문제가 된다. 따라서 더 높은 온도에서도 큰 자기 이방성을 유지하기 위한 대안적인 자기 재료와 구조가 필요하다.

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