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436

411

Co-22%Cr 자성합금박막에서 박막두께에 따른 자기미세구조 변화
송오성
한국표면공학회지, 1998

412

Nitrided oxide에 의한 Boron penetration 방지효과연구
10055561
서울시립대 산업기술연구소 논문집, 1998

413

Sr페라이트와 Co0.95Cr0.05 적층박막에서의 교환작용에 의한 수직이방성연구
10055561
서울시립대 산업기술연구소 논문집, 1998

414

원자현미경을 이용한 자구분석
10055561
서울시립대학교논문집, 1998

415

차세대 디바이스 양산을 위한 에칭기술
10055561
반도체 기술정보, 1997

416

살리사이드에 따른 CPU디바이스의 특성개선
10055561
97상반기 삼성전자 반도체 기술논문집, 1997

417

Ti-silicide를 가진 디바이스에서의 접촉저항
10055561
97상반기 삼성전자 반도체 기술논문집, 1997

418

에피웨이퍼에서의 파괴방지
10055561
97상반기 삼성전자 반도체 기술논문집, 1997

419

고성능로직용 MOSFET제조에서 활성화영역의 RTP조건결정
10055561
서울시립대 산업기술연구소 논문집, 1997

420

Co-12%Cr-2%Ta합금박막을 이용한 초고밀도 자기기록
10055561
서울시립대 산업기술연구소 논문집, 1997