김지훈 연구실은 전기전자공학부 소속으로, III-V 계열 화합물반도체를 기반으로 한 첨단 전자 및 광전소자 개발에 집중하고 있습니다. 연구실은 화합물반도체의 독특한 물리적 특성과 우수한 전기적, 광학적 성능을 활용하여 차세대 반도체 소자의 설계와 제작을 선도하고 있습니다. 특히, 갈륨비소(GaAs), 인듐인(InP) 등 다양한 화합물반도체 소재를 이용한 트랜지스터, 레이저 다이오드, 광검출기 등 고성능 소자 개발에 주력하고 있습니다. 이를 위해 박막 성장, 미세 가공, 계면 제어 등 첨단 공정 기술을 적극적으로 도입하고 있으며, 소재의 결정 구조와 계면 특성 분석을 통해 소자의 성능을 극대화하고 있습니다. 연구실은 소재의 밴드갭 조절, 불순물 도핑, 결함 분석 등 기초 연구부터 실제 소자 제작 및 평가에 이르기까지 전 과정을 아우르는 종합적인 연구를 수행하고 있습니다. 또한, 첨단 분석 장비와 시뮬레이션 기법을 활용하여 신뢰성 높은 연구 결과를 도출하고 있습니다. 김지훈 연구실의 연구 성과는 정보통신, 에너지, 센서, 의료 등 다양한 산업 분야에 응용될 수 있으며, 미래 사회의 핵심 인프라 구축에 기여하고 있습니다. 연구실은 국내외 연구기관 및 산업체와의 협력을 통해 연구 성과의 실용화와 기술 이전에도 힘쓰고 있습니다. 앞으로도 김지훈 연구실은 차세대 반도체 소재 및 소자 연구를 지속적으로 확장하여, 국내외 반도체 산업의 혁신과 발전을 이끌어 나갈 것입니다.