본 연구는 단일층 인듐 셀레나이드 필드 효과 트랜지스터(FET)의 양자 전이 특성을 상세히 분석하고 시뮬레이션하는 데 중점을 둡니다. 이를 통해 FET의 성능을 최대한 끌어올리기 위해 양자역학적 원리를 기반으로 한 시뮬레이션 기법을 적용하였습니다. 이러한 연구 결과는 고성능 반도체 소자 개발에 중요한 기여를 할 것으로 기대됩니다.