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논문·특허
과제
구성원
Article|
인용수 1
·2025
Chip‐Scale Graphene/IGZO Cold Source FET Array Enabling Sub‐60 mV dec −1 Super‐Steep Subthreshold Swing
Se‐Young Oh, Ojun Kwon, Jongwon Yoon, Eunjeong Cho, Min Jeong Kim, Wondeok Seo, Min-Hee Kim, Shinhoi Kim, Yeongeun Kwon, Yung Joon Jung, Kyungrok Kang, Woojin Park, Yonghun Kim, Byungjin Cho
IF 26.8 (2025) Advanced Materials
초록

기존에 보고된 산화물 반도체 트랜지스터와 비교했을 때. 제안된 IGZO CSFET 소자는 고속 및 초저전력 전자 회로에서 유의미한 발전을 이룰 것으로 기대된다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.

키워드
Materials scienceGrapheneOptoelectronicsTransistorField-effect transistorSemiconductorSubthreshold conductionNanotechnologyElectrical engineeringVoltage
타입
Article
IF / 인용수
26.8 / 1
게재 연도
2025