Multi-functional Nanoelectronics Lab

신소재공학과 조병진

멀티 기능 나노전자 연구실은 신소재공학과에 소속되어 있으며, 주로 유기 저항성 메모리 소자, 뇌 영감 뉴로모픽 시냅스 소자, 2D 층상 물질 합성, 2D 화학 센서, 2D 전계 효과 트랜지스터 등의 연구를 수행하고 있습니다. 최근 3년간 다양한 프로젝트와 연구를 통해 많은 성과를 이루었으며, 특히 2024년에는 자발적 내부 전기장을 이용한 α-In2Se3 인공 시냅스, TiO2 인터레이어를 이용한 InGaZnO 트랜지스터의 신뢰성 있는 시냅스 가소성, Y2O3 필름의 플라즈마 저항성을 향상시키기 위한 이온 빔 보조 증착 공정 최적화 등의 연구를 발표하였습니다. 또한, 다수의 특허를 보유하고 있으며, 기업과의 협력을 통해 실질적인 응용 연구를 진행하고 있습니다.

2D Chemical Sensors

Organic Resistive Memory Devices

Brain-inspired Neuromorphic Synapse Devices

대표 연구 분야

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뇌 영감을 받은 뉴로모픽 시냅스 소자 개발

뇌 영감을 받은 뉴로모픽 시냅스 소자 개발은 현대 인공지능 기술의 발전을 위한 중요한 연구 분야입니다. 이 연구는 다양한 2D 물질을 이용하여 인간의 뇌 기능을 모방한 전자 소자를 설계하고 제작하는 것을 목표로 합니다. 특히, InGaZnO 트랜지스터와 Al2O3/TiO2 이중 산화물 구조를 기반으로 한 메모리 소자의 시냅스 특성을 향상시키는 연구가 포함됩니다. 이러한 소자는 높은 패턴 인식 정확도를 구현할 수 있으며, 저전력과 고신뢰성을 갖춘 뉴로모픽 컴퓨팅 시스템에 적용될 수 있습니다.

고성능 2D 전계 효과 트랜지스터 개발

2D 전계 효과 트랜지스터(FET)는 차세대 전자 소자의 핵심 구성 요소로 주목받고 있습니다. MoS2와 같은 2D 소재를 활용하여 이동도가 향상되고 히스테리시스가 감소된 FET를 개발하는 연구가 진행되고 있습니다. 특히, CsPbBr3 나노클러스터의 표면 직접 침전 방법을 통해 MoS2 FET의 전하 이동 특성을 개선하는 연구가 포함됩니다. 이러한 연구는 고속 전자 소자와 저전력 소비를 요구하는 다양한 응용 분야에 유용하게 활용될 수 있습니다.

주요 논문

발행물 전체보기

Photo-assisted ferroelectric domain control for α-In2Se3 artificial synapses inspired by spontaneous internal electric fields

Seok-Ju Kang, Wonzee Jung, Oh Hun Gwon, Han Seul Kim, Hye Ryung Byun, Jong Yun Kim, Seo Gyun Jang, BeomKyu Shin, Ojun Kwon, Byungjin Cho, Kanghoon Yim, Young-Jun Yu

Small, 2024

Reliable synaptic plasticity of InGaZnO transistor with TiO2 interlayer

Soo-Hong Jeong, Seyoung Oh, Ojun Kwon, Do Hyeong Kim, Hyun Young Seo, Woojin Park, Byungjin Cho

Nanotechnology, 2024

Optimization of Ion Beam-assisted Deposition Process for Y2O3 film to Enhance Plasma Resistance

Choluk Oh, Ojun Kwon, Younghun Bae, Hyejin Shin, Young Min Kwon, Byungjin Cho

Korean Journal of Metals and Materials, 2024