본 과제는 원자층 증착법(ALD)이라는 정밀 기술을 활용하여 IGZO(인듐 갈륨 아연 산화물) 산화물 반도체 제조에 필수적인 '칵테일 전구체(Cocktail Precursor)' 기술을 개발하는 연구임. 칵테일 전구체는 ALD 공정을 통해 고성능 반도체 박막을 형성하는 데 사용되는 특수 혼합 재료임. 연구 목표는 1차년도 단막 특성 기반 대면적 평가 데이터 확보와 IGZO ALD 증착 공정 최적화임. 더불어, TFT 소자의 게이트 절연막 최적 조건 연구 및 신뢰성, 안정성 확보를 통한 채널 특성 향상을 목표로 함. 핵심 연구 내용은 칵테일 전구체 재선정 및 대면적 재평가, IGZO 두께, 균일도, 물성 최적화를 위한 ALD 증착 공정 기술 개발임. 전구체 증기압 향상 기술을 통한 대면적 적용, 소재 열 안정성 평가, TFT 단위 소자 평가를 수행함. 또한, 산화물 채널 표면의 밴드 밴딩 방지 패시베이션 기술 개발, 계면 결함 최소화, 이중 층 박막 구조 연구 및 후처리 공정을 통한 소자 안정성 및 신뢰성 향상에 주력함. 기대 효과는 개발된 칵테일 전구체 및 LDS 적용 ALD 장비로 대면적, 고생산성, 다성분계 박막의 정밀 조성 제어 기술을 확보하는 것임. 이는 고화질, 고속 프레임 스캔 대면적 디스플레이 산화물 박막 트랜지스터에 적용 가능하며, PVD 방식 로열티 절감으로 원가 경쟁력을 높이고 우리나라 고유의 IGZO 조성 특허 개발에 기여할 것으로 전망됨.