기준 전류(I REF )의 온도 안정성을 향상시키는 것은 자동차 및 산업용 센서를 포함한 다양한 응용 분야에서 정밀 전자기기의 신뢰성 있는 동작에 필수적이다. 온도에 대해 안정한 I REF 를 생성하기 위한 여러 접근법이 있으며, 여기에는 PTAT 및 CTAT 전류의 가중합, 유사한 온도계수(TC)를 갖는 저항으로 기준 전압을 분할하는 방법 [1–3], 그리고 MOSFET을 영(0) 온도계수 바이어스 지점에서 바이어스하는 방법 [4]이 포함된다. 이러한 기법들은 1차 TC를 제거할 수 있으나, 2차 TC로 인한 잔여 곡률이 달성 가능한 온도 안정성을 제한한다. [5]에서는 곡률 보정 밴드갭(reference) 전압과 스위칭 캐패시터 저항을 사용하여 기준 전류의 곡률을 보정한다. 그러나 이는 안정적이고 부피가 큰 기준 발진기(예: 크리스털)를 필요로 한다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.