수직 채널-올-어라운드 구조의 게이트 주입 강유전체 전계효과 트랜지스터 기반의 메모리 어레이 기술 개발
수직 채널-올-어라운드 구조의 게이트 주입 강유전체 전계효과 트랜지스터(VCAA GI-FeFET) 기반의 메모리 어레이 기술 개발1. GI-FeFET를 위한 gate stack 개발 및 최적화2. TCAD 시뮬레이션을 활용한 GI-FeFET 소자 구조 설계 및 최적화3. Planar GI-FeFET 소자 제작 및 메모리 특성 평가4. VCAA GI-FeFE...
게이트 전하주입
수직 채널 올 어라운드
전하 트랩
강유전체
뉴로모픽 소자
2
2023년 7월-2030년 12월
|3,542,268,000원
초거대 AI를 위한 대규모데이터센터용 인공지능 시스템반도체 인력양성 및 핵심기술 개발
[초거대 AI를 위한 대규모데이터센터에 활용될 수 있는 초고효율·초저전력 인공지능 반도체 핵심 기술 개발 및 고급 인력 양성]● 인공지능 반도체를 위한 시스템 핵심/응용 소프트웨어 기술과 회로/소자 핵심 설계 및 융합 기술 개발● 인공지능 반도체 관련 소프트웨어와 하드웨어 설계 역량을 갖춘 SW-HW 융합형 석박사 고급 인력 양성 (8년간 석박사 480명 ...
인공지능반도체
초거대AI
뉴로모픽
대규모데이터센터
저전력
3
2022년 9월-2026년 2월
|677,861,000원
채널 적층형 FeFET 기반 2F2 단일 트랜지스터 디램 셀
강유전체
적층형 채널
집적도
게이트 올 어라운드
동적 램
4
주관|
2022년 7월-2025년 2월
|660,000,000원
반도체 전공트랙 사업
본 과제는 전기자동차 반도체 분야 산업경쟁력 강화를 위한 인재 양성 체계 구축 연구임.
연구목표는 혁신 인재를 지속 공급하는 데 있음. 산업계 수요 기반의 전공트랙 개발·운영, 산학프로젝트 및 산학 인턴쉽 운영 등 산학협력체구축, 실습 교육용 반도체 설계 인프라 구축, 반도체 전문 교과목 개발, 학부와 대학원을 연계한 인력 양성 인프라 구축을 핵심 연구내용으로 수행함. 기대효과는 시스템반도체 전문 인력 양성 및 본교 인재상·국가 핵심 인재상에 부합하는 경쟁력 있는 인력 양성임.
코도펀트를 이용한 차세대 FET용 초고농도 Si 및 SiGe insitu 도핑 제어 기술 개발
[주관연구개발기관(아주대학교)]? B+Ga 코도펀트 modulation 기술을 이용한 초고농도 p-SiGe 박막 성장 기술 개발 ? FinFET 구조에서 초고농도 n-Si 및 p-SiGe 성장 [공동연구개발기관(서강대학교)]? 최적조건 contact 저항 평가? 30 nm 이하의 패턴에 적용 가능성 검증을 위한 테스트 플랫폼 개발 및 검증