|박노활 교수 연구실
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인용수 8
·2025
Stabilization of top-gate p-SnO transistors via ultrathin Al2O3 interlayers for hysteresis-free operation
Minki Choe, Seung Ho Ryu, Jihoon Jeon, Inhong Hwang, Jae Min Jung, Jae‐Yoon Shim, Sung Ki Lee, Taek‐Mo Chung, Noh‐Hwal Park, Seong Keun Kim, In-Hwan Baek
IF 5.1 (2025) Journal of Materials Chemistry C
초록

알 2 오 3(Al 2 O 3) 삽입층을 형성하여 준안정 SnO 채널의 표면을 보호함으로써, 탑 게이트 SnO TFT에서 히스테리시스가 없고 안정적인 동작을 달성하였다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.

키워드
Materials scienceHysteresisTransistorOptoelectronicsCondensed matter physicsCrystallographyElectrical engineeringVoltage
타입
Article
IF / 인용수
5.1 / 8
원문
https://doi.org/10.1039/d5tc00399g
게재 연도
2025