단일벽 탄소 나노튜브(SWNT)는 결정성 실리콘을 능가하는 높은 전하 운반자 이동도 때문에 박막 트랜지스터(TFT)의 활성층으로서 중요한 연구 주제였다. 본 연구에서는 얇은 염화철(FeCl3) 도펀트 층과의 접촉을 통한 선택적 도핑으로 용액 공정한 반도체성 SWNT TFT에서 매우 높은 전계효과 이동도 및 높은 on/off 비를 달성하기 위한 효과적인 접근법을 보고한다. 반도체층은 고순도(>99%) 고압 일산화탄소(HiPCO) SWNT를 폴리(3-도데실티오펜-2,5-일) (P3DDT)로 감싸(wrapping)하여 분류한 시료를 이중 스핀 코팅하여 형성하였다. 오프 상태 드레인 전류를 증가시키지 않으면서 상부 Au 소스 전극으로부터의 효과적인 정공 주입을 달성하기 위해, 상부에 HiPCO 필름의 위쪽으로 플라즈마 방전 공정으로 제조된 덜 정제(98–99%) SWNT를 폴리(9,9-디-n-도데실플루오렌) (PFDD)로 감싸 분류하여 형성하였다. 몇 나노미터 규모의 FeCl3 도펀트 층을 반도체-접촉 계면에 삽입함으로써 TFT 성능이 유의미하게 향상되었다. 접촉부에서 FeCl3 도펀트의 농도(두께 = 1.5 nm)를 제어하여, 합리적인 on/off 전류비 10(5) 및 낮은 오프 전류 약 80 pA를 갖는 48.35 +/- 3.11 cm(2)V(-1)s(-1) (무처리: 6.18 +/- 0.87 cm(2)V(-1)s(-1))의 유의미하게 높은 정공 전계효과 이동도를 얻었다. FeCl3 도펀트 층의 두께를 2.5 nm로 증가시키면 이동도는 추가로 향상되어, 정공 이동도 177 +/- 13.2 cm(2) V(-1)s(-1), on/off 비 7.4 x 10(3), 및 오프 상태 전류 1.2 x 10(-9) A를 달성하였다.