본 논문에서는 SWNT 이중층(SWNT bilayer)을 적용함으로써 접합 고분자(polymer)로 포장된 반도체성 단일벽 탄소나노튜브(s-SWNT) 트랜지스터에서 높은 전하 운반자 이동도와 낮은 오프 전류를 동시에 달성하기 위한 간단하고 효과적인 방법을 보고한다. 높은 이동도와 낮은 오프 전류를 달성하기 위해, 고도로 정제된 s-SWNT와 덜 정제된 s-SWNT를 연속적으로 코팅하여 반도체 층을 형성하였다. 이 반도체 층은 폴리(3-도데실티오펜-2,5-일) (P3DDT)로 포장된 고압 탄소 단산화물(HiPCO) SWNT(P3DDT-HiPCO)와 폴리(9,9-디-n-도데실플루오렌) (PFDD)로 포장된 플라즈마 방전(PD) SWNT(PFDD-PD)로 구성된다. 이중층 SWNT 네트워크 필름을 갖는 SWNT 트랜지스터는 높은 홀 전계효과 이동도(평균 6.18 ± 0.85 cm 2 V −1 s −1), 온/오프 전류비(10 7 ), 및 낮은 오프 전류(∼1 pA)를 보였다. 따라서, 이중층 반도체 필름에서 덜 정제된 PFDD-PD(98%–99%) 전하 주입 층과 고도로 정제된 s-P3DDT-HiPCO(>99%) 전하 수송 층을 조합함으로써 이동도와 오프 전류를 동시에 높게/낮게 달성하였다.

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