인듐 갈륨 아연 산화물(indium gallium zinc oxide, IGZO) 박막 트랜지스터(TFT)에서 전계효과 이동도(field-effect mobility)를 규명하는 것은 고성능 전자소자를 발전시키는 데 있어 핵심적이다. 그러나 채널 길이가 수 마이크로미터 이하로 짧은 IGZO-TFT에서 전계효과 이동도를 정확히 평가하는 것은 매우 어려운 과제이다. 이러한 어려움은 채널 길이가 감소할수록 전체 저항에서 접촉저항(contact resistance)의 중요성이 커지기 때문에 발생한다. 결과적으로 접촉저항을 증가시키면 부정확한 시트 저항(sheet resistance) 값이 나타나, 소자 평가 과정에서 이동도 및 접촉저항과 같은 핵심 파라미터가 과대평가될 수 있다. 따라서 단채널 IGZO TFT에서 시트 저항을 정확히 추출하기 위한, 본질적인 채널 특성에 해당하는 정밀한 방법이 필수적이다. 본 연구에서는 접촉저항에 독립적으로 시트 저항을 정밀하게 추출하기 위해 게이트드 반 데르 푸( gated van der Pauw, gVDP) 방법을 사용하였다. 접촉저항 비의존적 접근법은 IGZO TFT에서 전하 거동을 과대평가할 위험을 완화한다. 또한 단채널 소자의 최대 성능을 정확히 예측할 수 있도록, 본질적인 채널 이동도(intrinsic channel mobility)의 정밀한 평가를 가능하게 한다.

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