용액 공정 기반 분리·선별 SWNT 반도체층 제조

Solution-Processed Sorted SWNT Semiconducting Layer Fabrication

연구 내용

고순도와 상대적으로 불순도가 있는 SWNT를 각각 선별하여 이중 스핀 코팅 구조로 반도체층을 형성하는 연구

solution processed TFT 구현을 위해 SWNT의 정렬 품질을 확보하는 제조 공정을 연구합니다. 고순도 HiPCO SWNT는 P3DDT로 wrapping한 후 이중 스핀 코팅으로 반도체층을 형성하여 채널의 전기적 균일성을 확보합니다. 동시에 접촉부에서의 정공 주입을 보완하기 위해 플라즈마 방전 공정으로 제조된 상대적으로 덜 정제된 SWNT를 PFDD로 wrapping하여 상부에 추가 적층합니다. 두 종류의 선별 SWNT를 적층 위치에 맞춰 배치함으로써 채널 품질과 접촉부 특성을 분리 최적화하는 차별성을 구현합니다.

관련 프로젝트

1건

연구 흐름

초기 연구는 HiPCO 기반 SWNT를 P3DDT로 wrapping해 박막 채널로 구현할 수 있는 용액 제조와 스핀 코팅 조건을 정립하는 데 집중했습니다. 이후 채널층과 접촉부를 구분해, 플라즈마 공정 SWNT를 PFDD wrapping으로 선별한 뒤 상부 적층으로 정공 주입을 보완하는 구조를 도입했습니다. 이후에는 반도체층 적층 구조가 도핑층과 결합할 때 나타나는 전기적 트레이드오프를 검증하며, 용액 공정 기반 차세대 반도체 소자용 원천 공정 요소를 확정하는 연구를 수행합니다.

활용 가능성

활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.

SWNT 선별·wrapping 기반 용액 제조
이중 스핀 코팅 반도체층 형성
채널 균일성 확보 공정
접촉부 보완형 적층 구조
용액 공정 기반 TFT 스케일업
재료 정제도-소자 성능 상관 분석
박막 채널 결함 제어
반도체층 공정 재현성 평가
탄소나노튜브 기반 회로 소자화
후공정 인력 양성 연계 기술