TFT Device Element Integration Toward 3D Nano-Convergence Devices
연구 내용
탄소나노튜브 TFT의 계면·적층 공정 요소를 3차원 집적 및 이종집적 기술 관점에서 확장하는 연구
3차원 집적과 이종집적을 염두에 둔 나노융합 소자 관점에서 탄소나노튜브 TFT 공정 요소를 정리하고 확장 방향을 탐색합니다. 반도체-전극 계면에서 요구되는 선택적 도핑과, 채널층의 적층 품질을 좌우하는 용액 공정 조건을 소자 모듈 단위로 정의합니다. 또한 하이브리드 본딩 및 이종집적 공정과의 호환성을 고려해 열·공정 스트레스에 대한 구조적 안정성을 평가하는 틀을 마련합니다. 이를 통해 TFT를 3D 집적 소자 구성 요소로 전환하기 위한 설계 변수를 도출합니다.
관련 연구 성과
관련 논문
1편
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2건
연구 흐름
먼저 2D 박막 트랜지스터에서 도핑 및 적층 공정이 성능에 미치는 연결 고리를 정리했습니다. 이후 3차원 집적회로를 구성하는 관점에서, 공정 연속성 및 하이브리드 본딩 과정에 필요한 재료·표면 조건을 검토했습니다. 최종적으로 선택적 도핑이 계면에서 유지되는지, 용액 공정 기반 반도체층이 후속 공정에서 구조적으로 안정한지를 중심으로 평가 프레임을 구성하고, 3D 나노융합 소자 요소기술로 전개하는 연구를 수행합니다.
활용 가능성
활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.
관련 논문
구분
제목
High performance carbon nanotubes thin film transistors by selective ferric chloride doping
관련 프로젝트
구분
제목
3D 나노융합소자 연구 센터
차세대반도체소재부품장비후공정전문인력양성