이 논문은 진정 난수 생성기(TRNG)를 위한 후처리 알고리즘을 제시한다. 보안 키 생성의 난수성이 어떠한 이유로든 저하되면, 보안 시스템의 전체 연쇄가 손상되어, 공격자가 정보를 회수하기 위해 이를 악용할 가능성이 증가할 수 있다. 운영 환경의 변화 또는 실리콘 집적 회로에서의 노화 현상 발생에 따라 RNG 출력 시퀀스의 분포가 달라지는 점을 고려할 때, 보안 시스템의 지속가능성을 보장하기 위해 고유(TRNG)에 견고한 후처리 알고리즘을 적용해야 한다. NIST 800-22a 요구사항을 준수하는 고수준 암호화 시스템을 대상으로, 제안된 알고리즘은 해밍 가중치(HW)를 유의하게 개선하면서 약 전체 사용 가능 비트의 20%를 희생하는 대가로 NIST 기준을 성공적으로 통과한다. 제안된 알고리즘은 순차적 셀 및 비트 수준 폐기 기법, 셀-폐기 방식, 그리고 TRNG의 전체 HW 개선에 초점을 둔 후속 비트-폐기 방식이 카이제곱(χ2) 검정을 수행함으로써 TRNG의 난수성을 향상시킨다. 개념을 입증하기 위해, 제안된 알고리즘을 FPGA에서 프로그래밍하고 제작된 TRNG 칩의 출력을 실시간으로 후처리한 뒤 온보드 메모리에 저장하도록 구성하였다. 65 nm CMOS 공정으로 완전 맞춤 설계된 5가지 서로 다른 링 오실레이터 기반 TRNG 프로토타입에서, 실패한 고유 TRNG 출력 시퀀스들을 각각 후처리한 결과 모두 NIST 800-22a 요구사항을 상회하였다.

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