대면적 2D MoS2 층의 연성 스퍼터링 손으로 그린 이미지는 캔버스 위에 장착된 6인치 실리콘 웨이퍼를 보여주며, IPSD에 의해 2D MoS2 반도체가 코팅되어 있다. H.-K. Kim 교수에 의해 제작된 유화는 강한 자기장 내에 가둔 고립 플라즈마를 나타낸다. 이러한 플라즈마 환경은 MoS2 분자의 증착을 가능하게 하여 실리콘 웨이퍼 위에 균일한 2D 층이 형성되게 한다. 보다 자세한 내용은 Han-Ki Kim 및 공동연구자들의 논문 2414800호에서 확인할 수 있다.

화학-욕액증착(CBD) SnO 2 층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지(PSC)는 높은 전자 이동도와 저온 공정을 결합함으로써 주목을 받아왔고, 뛰어난 광전변환 성능을 제공한다. 그러나 CBD의 산성 조건은 전면 투명전극(FTEs)과의 호환성을 제한한다. 본 연구에서는 CBD-SnO 2 기반 PSC와 통합되도록 설계된, 저비용이며 열적으로 안정하고 고투명한 질소 도핑 SnO 2 (NTO) FTE를 개발하였다. 마그네트론 스퍼터링 공정에서 N 도입체의 함량을 정밀하게 제어함으로써, 시트 저항 38.64 Ω/square, 광투과율 86.17%, 매끄러운 표면 형상(1.2 nm), 그리고 기계적 유연성을 갖는 NTO FTE를 얻었다. 또한 SnO 2 에 N을 도핑하면 기존의 Sn-도핑된 In 2 O 3 (ITO) 전극에 비해 더 우수한 열적 및 화학적 안정성이 부여된다. 더불어 SnO 2 전자 수송층(ETL)과의 NTO 에너지 밴드 정합성과 균질한 계면 형성은 중요한 장점이다. 새롭게 개발된 저비용 NTO FTE를 이용한 이러한 다면적 전략을 적용함으로써, 개방전압이 향상되고 에너지 장벽이 없는 특성을 지닌 CBD-SnO 2 기반 PSC를 제작하였다. 최고 전력변환효율 20.43%를 달성하였으며, 캡슐화 없이도 3 000 h 후 초기 효율의 93.30%를 유지한다. SnO 2 ETL과의 결합을 통한 NTO FTE의 적용은 견고하고 장수명인 고성능 PSC의 구현을 위한 발판을 마련한다.