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김봉수 연구실
울산과학기술원 화학과
김봉수 교수
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김봉수 연구실

울산과학기술원 화학과 김봉수 교수

김봉수 연구실은 고분자화학을 바탕으로 전도성 공액고분자와 유기 반도체 소재를 설계하고, 광가교·용액공정 기반 미세패터닝 기술을 통해 트랜지스터, OLED, 양자점 디스플레이, 태양전지, 열전소자, 바이오전자소자 등 차세대 유연 전자 및 에너지 소자에 적용하는 연구를 수행하고 있다.

대표 연구 분야
연구 영역 전체보기
전도성 공액고분자와 유기 반도체 소재 설계 thumbnail
전도성 공액고분자와 유기 반도체 소재 설계
주요 논문
3
논문 전체보기
1
article
|
인용수 6
·
2025
Hydrogel–elastomer-based conductive nanomembranes for soft bioelectronics
Hyunjin Jung, Dohaeng Lee, Kyoungryong Kim, Heewon Choi, Soojung An, Youngwan Lee, Sung‐Jun Lee, Jiyong Yoon, Duhwan Seong, Y.‐K. Kim, Jaepyo Jang, Subin Jin, Sumin Kim, Jeungeun Kum, Hyeok Kim, Sang Min Won, Hyungmin Kim, Seung‐Pyo Lee, Hyung‐Seop Han, Mikyung Shin, BongSoo Kim, Donghee Son
IF 34.9
Nature Nanotechnology
https://doi.org/10.1038/s41565-025-02031-x
Bioelectronics
Interfacing
Flexible electronics
Electrical conductor
Conformable matrix
Stretchable electronics
Electronics
Transistor
Thin film
Bilayer
2
article
|
인용수 161
·
2024
Multi-heterojunctioned plastics with high thermoelectric figure of merit
Dongyang Wang, Jiamin Ding, Yingqiao Ma, Chunlin Xu, Zhiyi Li, Xiao Zhang, Yao Zhao, Yüe Zhao, Yuqiu Di, Liyao Liu, Xiaojuan Dai, Ye Zou, BongSoo Kim, Fengjiao Zhang, Zitong Liu, Iain McCulloch, Myeongjae Lee, Cheng Chang, Xiao Yang, Dong Wang, Deqing Zhang, Li‐Dong Zhao, Chong‐an Di, Daoben Zhu
IF 48.5
Nature
https://doi.org/10.1038/s41586-024-07724-2
Figure of merit
Thermoelectric materials
Thermoelectric effect
Thermoelectric cooling
Materials science
Nanotechnology
Polymer
Engineering physics
Process engineering
Optoelectronics
3
article
|
인용수 28
·
2024
Triboelectric Energy Harvesting from Highly Conjugated Fused Aromatic Ladder Structure Under Extreme Environmental Conditions
Qazi Muhammad Saqib, Ishfaq Ahmad, Abdul Mannan, Javeed Mahmood, Shahid Ameen, Chandrashekhar S. Patil, Muhammad Noman, Jungmin Kim, Mahmut Sait Okyay, Swapnil R. Patil, Youngbin Ko, Hyuk‐Jun Noh, Bryan M. Wong, BongSoo Kim, Jinho Bae, Jong‐Beom Baek
IF 26.8
Advanced Materials
Practical application of triboelectric nanogenerators (TENGs) has been challenging, particularly, under harsh environmental conditions. This work proposes a novel 3D-fused aromatic ladder (FAL) structure as a tribo-positive material for TENGs, to address these challenges. The 3D-FAL offers a unique materials engineering platform for tailored properties, such as high specific surface area and porosity, good thermal and mechanical stability, and tunable electronic properties. The fabricated 3D-FAL-based TENG reaches a maximum peak power density of 451.2 µW cm<sup>-2</sup> at 5 Hz frequency. More importantly, the 3D-FAL-based TENG maintains stable output performance under harsh operating environments, over wide temperature (-45-100 °C) and humidity ranges (8.3-96.7% RH), representing the development of novel FAL for sustainable energy generation under challenging environmental conditions. Furthermore, the 3D-FAL-based TENG proves to be a promising device for a speed monitoring system engaging reconstruction in virtual reality in a snowy environment.
https://doi.org/10.1002/adma.202311029
Triboelectric effect
Materials science
Porosity
Energy harvesting
Humidity
Relative humidity
Nanotechnology
Optoelectronics
Composite material
Power (physics)
정부 과제
26
과제 전체보기
1
2024년 6월-2027년 12월
|660,368,000
실리콘-유기 발광체 네트워크 형성법 및 적합한 물질 개발을 통한 새로운 RGB OLED 패턴 형성 방법
[최종목표]ㅇ포토리소그래피 및 건식 식각 맞춤형 고내구성 유기발광체 네트워크 소재 개발을 통한 초고해상도(4,000ppi 급) SI-OLED 마이크로디스플레이 구현
유기 규소화합물 기반 발광 다이오드
건식식각
마이크로디스플레이
유기발광체
유기 규소 네트워크
2
2024년 6월-2028년 12월
|1,425,000,000
초실감 자발광 양자점 디스플레이용 가교강화형 소재 및 크로스톡프리 화소 공정 기술 개발
초실감, 고색재현성 자발광 양자점 디스플레이를 위한 가교강화형 소재(양자점 발광소재, 전하전달 소재) 및 고해상도 크로스톡프리 화소 공정 기술 개발(화소밀도 7000 ppi 이상, 색재현 BT2020 95% 이상, 전기 및 전기확학적 크로스톡 3% 미만)
크로스톡프리 양자점 근안디스플레이
가교강화형 소재
축퇴올림기반 초고색순도 발광소재
직접리소그래피
실리콘강화 포토리소그래피
3
2024년 6월-2028년 12월
|1,441,730,000
초실감 자발광 양자점 디스플레이용 가교강화형 소재 및 크로스톡프리 화소 공정 기술 개발
초실감, 고색재현성 자발광 양자점 디스플레이를 위한 가교강화형 소재(양자점 발광소재, 전하전달 소재) 및 고해상도 크로스톡프리 화소 공정 기술 개발(화소밀도 7000 ppi 이상, 색재현 BT2020 95% 이상, 전기 및 전기확학적 크로스톡 3% 미만)
크로스톡프리 양자점 근안디스플레이
가교강화형 소재
축퇴올림기반 초고색순도 발광소재
직접리소그래피
실리콘강화 포토리소그래피
최신 특허
특허 전체보기
상태출원연도과제명출원번호상세정보
등록2023이온 침투 유도형 고분자 반도체 형성용 조성물, 이를 이용하여 제조된 이온 침투 유도형 고분자 반도체, 이온 침투 유도형 고분자 반도체의 패터닝 방법 및 이를 포함하는 유기 전기화학 트랜지스터1020230123503
거절2023페로브스카이트 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치1020230002508
등록2022정공 주입 또는 수송용 화합물, 및 이를 포함하는 유기전계발광소자1020220166457
전체 특허

이온 침투 유도형 고분자 반도체 형성용 조성물, 이를 이용하여 제조된 이온 침투 유도형 고분자 반도체, 이온 침투 유도형 고분자 반도체의 패터닝 방법 및 이를 포함하는 유기 전기화학 트랜지스터

상태
등록
출원연도
2023
출원번호
1020230123503

페로브스카이트 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치

상태
거절
출원연도
2023
출원번호
1020230002508

정공 주입 또는 수송용 화합물, 및 이를 포함하는 유기전계발광소자

상태
등록
출원연도
2022
출원번호
1020220166457