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전체 논문

177

141

Fabrication of 4H-SiC shottky barrier diodes with high breakdown voltages
신무환
Journal of Korean Physical Society, 199905

142

A new photo - electrochemical etching method for the fabrication of GaN MESFET
신무환
Journal of Korean Physical Society, 199905

143

고항복전압 SiC Schottky Barrier Diodedml 제작 및 특성에 관한 연구
신무환
한국재료학회지, 199807

144

광전화학 에칭법을 사용하여 제작된 GaN MESFET 의 소자작동 특성
신무환
대한금속학회지, 199807

145

결함제 특성이 전계발광소자의 성능에 미치는 영향
신무환
한국재료학회지, 199807

146

Ni/3C-SiC계면의 접착력 특성에 관한 연구
신무환
한국재료학회지, 199807

147

Fabrication and Charactieristics of PPV Light Emitting Diode
신무환
IUMRS-ICEM-98, 199807

148

전계발광 유기물고분자 표면 Fermi준위의 Pinning 기구 및 Ohmic접합특성에 관한 연구
신무환
한구재료학회지, 199807

149

High Power Application for GaN-Based Devices
신무환
Solid State Electronics, 199707

150

Wide Band-gap반도체의 물성 및 고주파 전력소자의 응용,
신무환
전기전자 재료학회지, 199707