신경 매니폴드 학습 기반 신경전극-PIM 프로세서 통합형 뇌-컴퓨터 인터페이스 시스템 개발
본 연구는 뇌-컴퓨터 인터페이스(BCI) 기술의 핵심 원천 기술 개발을 목표로 한다.○ 핵심 기술 1: PIM Neural Processor 기술 개발- 세계 최초로 휘발성 메모리 SRAM 어레이와 Mask ROM(Read Only Memory) 어레이가 융합 집적된 Neural Manifolrd Learning PIM 회로 및 시스템 기술 개발○ 핵심 기...
뇌-컴퓨터 인터페이스
신경전극
프로세스-인-메모리
물리적 인공지능
초저전력 시스템
2
2023년 4월-2027년 12월
|339,594,000원
초고층 3D NAND 메모리를 위한 고이동도 채널/유전막 신소재 개발 및 AI 기반 대규모 해석 플랫폼 구축
[최종목표]o 500단 이상 3D NAND 메모리 셀 고성능/고집적화 기술 개발[1차년도 목표]o 차세대 유전막/채널 구조의 게이트 스택 공정, 동작 기법 개발 및 변동성 분석[2차년도 목표]o 차세대 유전막/채널 구조의 3D 집적 모듈 공정 개발 및 기존 3D NAND 플래시와 비교[3차년도 목표]o 3D 집적 모듈 공정 개선 및 셀 스케일링을 위한 공정...
고이동도 채널 물질
메모리 스케일링 기술
초고층 3D NAND 메모리 집적 모듈 공정
메모리 동작 기법 최적화
AI 기반 변동성 컴팩트 모델링 해석 플랫폼
3
2023년 4월-2027년 12월
|329,743,000원
초고층 3D NAND 메모리를 위한 고이동도 채널/유전막 신소재 개발 및 AI 기반 대규모 해석 플랫폼 구축
본 과제는 500단 이상 3D NAND 메모리 셀을 더 고성능·고집적으로 만드는 기술 개발 연구임.
연구 목표는 차세대 유전막/채널 구조의 게이트 스택·동작 기법을 개발하고, 3D 집적 모듈 공정 및 셀 스케일링 공정을 개선하며, AI 기반 어레이 동작 기법 최적화와 신뢰성 실증을 수행하는 데 있음. ALD, VHF-PEALD 공정과 고이동도 채널, 유전막 특성 추출 및 변동성 분석, DTCO향 모델링, 머신러닝 기반 산포 최소화, AI 메모리 통합 플랫폼 구축을 핵심 연구 내용으로 함. 기대 효과는 변동성 감소와 신뢰성 향상, 시간 단축과 정확성 향상, 강유전체 기반 3D NAND 기술 선점 및 국내 반도체 산업 경쟁력 강화임.
초고층 3D NAND 메모리를 위한 고이동도 채널/유전막 신소재 개발 및 AI 기반 대규모 해석 플랫폼 구축
[최종목표]o 500단 이상 3D NAND 메모리 셀 고성능/고집적화 기술 개발[1차년도 목표]o 차세대 유전막/채널 구조의 게이트 스택 공정, 동작 기법 개발 및 변동성 분석[2차년도 목표]o 차세대 유전막/채널 구조의 3D 집적 모듈 공정 개발 및 기존 3D NAND 플래시와 비교[3차년도 목표]o 3D 집적 모듈 공정 개선 및 셀 스케일링을 위한 공정...
본 과제는 메모리 안에서 연산을 수행하는 PIM(Processing In Memory) 특화 소자, 회로, 시스템 하드웨어를 개발하고 응용 가능성을 검증하는 연구임.
연구 목표는 전하 저장형 터널링 트랜지스터, C2TF, 실리콘 MOS 커패시터 기반 PIM 소자/어레이와 부울 로직·산술 연산, 휘발성/비휘발성 동시 지원 연산 유닛을 구현하는 데 있음. 핵심 내용은 공정·구동회로·멀티 레벨 알고리즘·제어 로직·시스템 시뮬레이션 프레임워크 개발과 심층 신경망, 물리적 복제 방지 기능, 연상형 메모리 응용 검증임. 기대 효과는 차세대 컴퓨팅 원천기술 확보, IP 선점, 상용화 가능성 제고, 반도체 경쟁력 강화, 전문 인력 양성임.