Jeong-Gil Kim 교수 연구실은 동아대학교 반도체학과에 소속된 질화물 반도체 소자 연구실로, GaN(질화갈륨) 기반 고전자이동도 트랜지스터(HEMTs) 및 다양한 전력, RF, 나노 소자 개발에 중점을 두고 있습니다. 본 연구실은 GaN의 우수한 전기적 특성을 활용하여 차세대 고전력, 고주파 응용 소자 개발을 목표로 하고 있습니다. 연구실에서는 AlGaN/GaN, AlN/GaN 등 다양한 이종접합 구조와 고품질 버퍼층, 패시베이션 기술을 적용하여 소자의 항복 전압, 전류 분산, 동적 온저항 등 주요 성능 지표를 극대화하고 있습니다. 또한, 미세 가공 및 에피택셜 성장 기술을 접목하여 소자의 신뢰성과 상용화 가능성을 높이고, 실제 산업 현장에 적용할 수 있는 실용적인 기술 개발에 힘쓰고 있습니다. 최근에는 FinFET, 나노와이어 MOSFET, 터널링 FET 등 차세대 소자 구조 연구와 더불어, 트래핑 현상 억제, 열화 방지, 고품질 패시베이션 등 소자 신뢰성 향상에도 많은 노력을 기울이고 있습니다. 이러한 연구 결과는 다수의 SCI 논문, 특허, 국제 학회 발표를 통해 국내외적으로 인정받고 있으며, 산학협력 및 국제 공동 연구를 통해 기술의 실용화와 산업적 파급 효과를 극대화하고 있습니다. 연구실은 반도체 소자 제작 및 특성 평가에 필요한 첨단 공정 기술을 보유하고 있으며, 전력전자, RF 통신, 나노기술 등 다양한 분야에 적용 가능한 핵심 기술을 개발하고 있습니다. 이를 통해 차세대 반도체 산업의 혁신을 선도하고, 미래 사회의 에너지 효율 및 통신 인프라 발전에 기여하고자 합니다. Jeong-Gil Kim 교수 연구실은 우수한 연구 인프라와 전문 인력을 바탕으로, 반도체 소자 분야의 세계적 경쟁력을 확보하고 있습니다. 앞으로도 지속적인 연구 개발과 산학협력을 통해 반도체 산업의 발전과 인재 양성에 앞장설 것입니다.