정성웅 연구실은 반도체공학 분야에서 박막공학과 차세대 메모리 소자 연구를 선도하는 연구실입니다. 연구실은 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD)과 같은 첨단 박막 증착 기술을 바탕으로, 반도체 소자의 미세화와 고집적화에 필수적인 박막 형성 및 제어 기술을 개발하고 있습니다. 특히, 금속/절연체 선택적 증착, 표면 개질, 고온 공정에서의 전구체 안정성 등 다양한 박막공정의 근본적인 메커니즘을 실험과 이론을 병행하여 심도 있게 탐구하고 있습니다. 또한, 연구실은 DRAM, ReRAM, STT-MRAM 등 차세대 반도체 메모리 소자와 혁신적인 소자 구조 개발에 집중하고 있습니다. 실리콘온인슐레이터(SOI) 기반의 플로팅 바디 셀, 트렌치 및 핀 구조, 산화물 기반 저항변화 메모리, 스핀트로닉스 기반 메모리 등 다양한 신개념 소자에 대한 연구를 통해, 고집적·저전력·고속·고신뢰성 메모리 구현을 목표로 하고 있습니다. 실제 소자 제작과 특성 평가를 통해 실용화 가능성을 검증하고, 산업계와의 협력을 통해 기술 이전 및 상용화에도 힘쓰고 있습니다. 연구실은 반도체 소자 제조 공정에서의 박막 특성 분석, 신뢰성 평가, 소재 개발 등 다양한 분야에서 다수의 특허와 국제 논문, 학회 발표 실적을 보유하고 있습니다. 이를 통해 국내외 반도체 산업 발전에 크게 기여하고 있으며, 미래 반도체 기술의 핵심 인재 양성에도 앞장서고 있습니다. 정성웅 교수는 SK하이닉스, LG반도체 등 국내 주요 반도체 기업에서 오랜 연구 경력을 쌓았으며, 산학연 협력과 기술 실용화 경험을 바탕으로 연구실의 연구 방향을 산업적 요구와 긴밀히 연계하고 있습니다. 이를 통해 연구실은 실질적인 산업 문제 해결과 미래 기술 선도라는 두 가지 목표를 동시에 추구하고 있습니다. 향후 연구실은 박막공정의 정밀 제어, 신소재 개발, 차세대 메모리 소자 구조 혁신 등에서 더욱 심화된 연구를 이어갈 계획입니다. 이를 통해 글로벌 반도체 산업의 경쟁력 강화와 미래 기술 패러다임 변화에 적극적으로 대응할 것입니다.