나노트로닉스 연구실
고려대학교 전기전자컴퓨터공학과
김상식 교수
누설전류
소비전력
tunneling field-effect transistor
스위칭전자소자
무기물 반도체
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연구 분야
기술 도입 효과 및 상용화 단계
경제적/시장 적용 및 기대 효과
뉴로모픽 컴퓨팅 시장은 2024년 782만 달러에서 2032년 4,572만 달러로 연평균 24.7% 성장이 예상됩니다. 특히 저전력 엣지 AI 시장에서 높은 경쟁력으로 기업 가치 상승에 기여할 것입니다.
2022년 기준 610억 달러 규모의 웨어러블 기기 시장은 유연 전자소자 기술의 핵심 수요처입니다. 본 기술 도입을 통해 혁신적인 소비자 제품을 개발하고 시장을 선점할 수 있습니다.
나노탄소소재 기반의 에너지 소자는 기존 배터리 시장을 보완하고, 자가 구동 센서 네트워크 등 새로운 시장을 창출하여 높은 경제적 가치를 가집니다. 이를 통해 ESG 경영에도 기여할 수 있습니다.
연구실에서 최근에 진행되고 있는 관심 연구 분야
1
나노구조체 기반 유연전자소자
나노트로닉스 연구실은 벌크에 비해 우수한 물리적, 전기적 특성 및 유연한 특성을 갖는 나노선/나노입자를 이용하여 나노구조체 기반 유연전자소자, 뉴로모픽 소자, 에너지 하베스팅 소자, 유연/스트레쳐블 TFT소자, 차세대 메모리소자, 유연 광소자에 관한 연구를 진행합니다.
나노선
나노입자
유연전자소자
뉴로모픽 소자
에너지 하베스팅 소자
유연/스트레쳐블 TFT소자
차세대 메모리소자
유연 광소자
2
Nano Letters, ACS nano, Advanced Materials, Small, Nanotechnology SCI Journals
Nano Letters 2편, ACS nano 2편, Advanced Materials 2편, Small 2편, Nanotechnology 22편 등 SCI 저널에 300편 게재
Nano Letters
ACS nano
Advanced Materials
Small
Nanotechnology
SCI Journals
3
Patents on Nanoparticle-based Photodetectors
‘접합된 나노입자를 이용한 수광소자’ 등 국내등록 23건, 국내출원 20건, 국외출원 18건
Nanoparticles
Photodetectors
Patents
Domestic Registered
Domestic Filed
International Filed
4
Various National Research Projects
국가지정연구실사업, 특정연구개발사업, 핵심기반기술개발사업, 중기거점사업 등 다양한 프로젝트 실시
National Research Lab Project
Specific R&D Project
Core Technology Development Project
Mid-term Base Project
5
Nanomaterial based soft electronics
MOSFET 및 신개념 스위칭 소자 연구 MOSFET 소자의 급격한 크기 감소에 따라 발생하는 short-channel effect의 결과로 다양한 성능 저하 (Subthreshold swing값의 증가, 누설전류 증가, 소비전력 증가 등)의 문제점들이 발생됨. 본 연구실에서는 저전력 및 고효율의 특징을 갖는 신개념 스위칭전자소자인 tunneling field-effect transistor (TFET), feedback FET (FBFET), impact ionization FET (IFET)에 관한 연구를 진행하고 있음. 무기물 반도체 나노선/나노입자 기반의 단위소자 제작 기술을 바탕으로 플라스틱 기판 위에 무기물 반도체 나노선/나노입자 기반의 논리회로에 관한 연구를 진행하고 있음.
MOSFET
short-channel effect
Subthreshold swing
누설전류
소비전력
tunneling field-effect transistor
TFET
feedback FET
FBFET
impact ionization FET
6
Neuromorphic devices
뉴로모픽 (Neuromorphic) 기술은 인간의 신경 구조를 CMOS 집적회로 기술 기반 하드웨어로 모방하기 위한 기술임. 본 연구실에서는 기존 폰 노이만 기반 아키텍쳐 적용의 한계를 뛰어넘어 인간의 뇌처럼 기억과 연산을 같은 곳에서 처리하는 로직과 메모리가 통합된 뉴로모픽 소자에 관한 연구를 진행 중임.
Neuromorphic
뉴로모픽
CMOS 집적회로
로직과 메모리 통합
인공지능용 neuromorphic device
7
나노구조체를 이용한 플렉서블 열전 시스템 연구
열전소자(Thermoelectric generator)는 열에너지를 전기에너지로 변환 시키는 에너지 발전소자임. 본 연구실에서는 나노입자와 나노선을 이용하여 전하운반체와 포논의 독립적 제어를 통하여 에너지 변환효율 극대화를 통해 고효율 플렉시블 열전시스템에 관한 연구를 진행 중임.
나노구조체
플렉서블 열전 시스템
열전소자
Thermoelectric generator
에너지 변환효율
나노입자
나노선
전하운반체
포논
8
탄소 나노구조체를 이용한 Super capacitor 연구
슈퍼커패시터(Supercapacitor)는 축전 용량이 매우 큰 초고용량 커패시터로 리튬이온 배터리를 대체할 수 있는 에너지 저장소자임. 본 연구실에서는 탄소기반 재료들을 다공성 나노구조체로 형성하여 표면적 증가 및 이온의 출입을 용이하도록 설계하고 고성능 플렉서블 슈퍼커패시터를 제작하는 연구를 수행 중임. 또한 나노입자 및 나노선 기반 열전소자와의 융합을 통해 열에너지 하베스팅이 가능한 플렉서블 슈퍼커패시터에 관한 연구를 수행 중임.
탄소 나노구조체
Supercapacitor
슈퍼커패시터
초고용량 커패시터
리튬이온 배터리 대체
에너지 저장소자
다공성 나노구조체
표면적 증가
이온 출입
플렉서블 슈퍼커패시터
9
Nanowire-based FET
10
다결정/비정질 실리콘 TFT 연구
TFT(Thin Film Transistor)는 AMOLED와 LCD에서 영상을 구성하는 픽셀을 on/off시키는 스위치 소자임. 현재 디스플레이 시장에서는 낮은 공정 비용 및 대면적화가 가능한 비정질 실리콘을 TFT의 채널물질로 많이 사용함. 본 연구실에서는 플렉서블 비정질 실리콘 TFT를 제작하고, bending stress에 따른 열화 발생 메커니즘 규명 및 reliability 개선에 관한 연구를 진행함.
TFT
Thin Film Transistor
플렉서블 비정질 실리콘 TFT
bending stress
열화 발생 메커니즘
reliability 개선
11
ZnO계열 산화물 반도체 TFT 연구
최근 산화물 반도체 TFT가 전자와 정공의 속도가 빨라 고해상도 구현에 절대적으로 유리해서 크게 주목을 받고 있으며 차세대 TFT 기술로 자리잡을 것으로 예상됨. 본 연구실에서는 IGZO, IZO 등 ZnO 계열 산화물 반도체 TFT에 관한 연구를 수행하며 이와 더불어 다양한 형태 변형이 가능한 유연/스트레쳐블 디스플레이용 TFT에 관한 연구도 수행하고 있음.
산화물 반도체 TFT
IGZO
IZO
ZnO 계열 산화물 반도체
유연/스트레쳐블 디스플레이용 TFT
12
Feedback FET
13
Soft optoelectronics
수광/발광 소자 제작 본 연구실에서는 나노입자를 이용하여 입사된 빛에 대해 모든 편광 방향으로 수광이 이루어지게 하여 고효율의 수광소자 제작 및 연구를 진행함. 또한 차세대 디스플레이로 각광받는 organic light-emitting diode (OLED) 발광소자를 플렉서블 기판 위에 제작하는 연구를 진행함.
14
Oxide TFT
15
Capacitorless 2T DRAM
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게이트 다이오드를 이용한 진성 난수 발생기 개발 (True Random Number Generator using Gate Diodes)
정보 보안, 암호화, 인증 시스템에서 필요한 진성 난수(TRNG)는 예측 불가능성과 고유성이 핵심입니다. 본 연구는 게이트 다이오드 기반 소자로부터 발생하는 열 및 전기 잡음을 활용해 고품질 난수를 생성하는 장치를 개발합니다. 특히 보안용 게이트 다이오드 설계 최적화, 잡음 분석 및 하드웨어 구현을 통합하여 실제 응용 환경에서도 안정적인 난수 발생 성능을 확보하는데 중점을 둡니다. 한국연구재단 기술사업화센터 자료에 따르면, 해당 기술(#10‑2024‑0095589)은 최근 출원된 특허로, 사업화 가능성 높은 전략 기술로 분류되었습니다
진성 난수
게이트 다이오드
보안 하드웨어
정보 암호화
잡음 분석
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나노전자소자 및 메모리 소자 설계·물성제어 (Nanoelectronic & Memory Device Design and Material Property Control)
본 연구실은 나노 스케일에서 전자 소자와 메모리 소자의 구조 설계, 물성 최적화 및 동작 메커니즘 연구에 집중합니다. 다양한 나노소재 기반(탄소 전극 포함) 소자 구조를 설계하고 물리적 특성을 제어함으로써 안정적 스위칭, 높은 집적도, 저전력 동작이 가능한 차세대 메모리 소자를 목표로 합니다. 고려대학교 융합기술연구소 소개에서 김상식 교수 연구 분야로 '나노전자소자 및 메모리소자'가 명시되어 있습니다.
나노전자소자
메모리 소자
물성 제어
탄소 전극
저전력 스위칭
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인공지능 기반 나노소자 설계 시뮬레이션과 제작 (AI-Driven Nanodevice Design & Fabrication)
연구실 초기 공지에 따르면, AI 설계, 시뮬레이션, 제작을 아우르는 시스템을 구축하여 나노소자 개발 전체 주기를 자동화하고 효율화하고자 합니다. 머신러닝 기반 소재 특성 예측, 시뮬레이션 기반 공정 최적화, 최종 제작 단계의 자동화 기술을 결합하여 연구-개발(R&D) 기간을 단축하고 반복 실험 비용을 절감합니다. 이는 실제 산업체 및 시스템 통합(SI) 단계에 적용 가능한 솔루션으로, 나노소자 기술의 상용화 및 산업 협력 가능성을 높이도록 설계되었습니다.
인공지능 설계
머신러닝 시뮬레이션
나노소자 제작
공정 최적화
자동화